[发明专利]一种利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法在审

专利信息
申请号: 201710442291.3 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN107675252A 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 吴健松 申请(专利权)人: 岭南师范学院
主分类号: C30B29/10 分类号: C30B29/10;C30B29/62;C30B7/14
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 张月光,林伟斌
地址: 524048 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 太阳能 苦卤 制备 氢氧化镁 方法
【权利要求书】:

1.一种利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1.过滤苦卤中的不溶物;

S2.将过滤后的苦卤引入至盐田或透明容器中,于太阳光下暴晒至35~45℃;

S3.向暴晒后的苦卤中加入0.6~1.5mol/L NaOH溶液,于太阳光下暴晒2~4天,再过滤苦卤,得到碱式氯化镁与氢氧化镁晶须混合物;

S4.用0.1mol/L~0.2mol/L NaOH溶液浸泡步骤S3的混合物,加热至25~30℃,浸泡36~48h,过滤洗涤,得到氢氧化镁晶须;

步骤S3所述NaOH溶液与苦卤的体积比为1:2~3。

2.根据权利要求1所述的利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法,其特征在于,当步骤S3暴晒后的苦卤中的镁离子浓度为2.1~3.1mol/L时,可加入NaOH溶液,进行下一次循环。

3.根据权利要求1所述的利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法,其特征在于,步骤S3所述暴晒的时间为3天。

4.根据权利要求1所述的利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法,其特征在于,步骤S4所述浸泡为每浸泡12~16h,过滤并洗涤一次;再重复2次。

5.根据权利要求1所述的利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法,其特征在于,将过滤后的苦卤引入至盐田,于太阳光下暴晒至40~45℃;向暴晒后的苦卤中加入0.6~1mol/L NaOH溶液,于太阳光下继续暴晒,再过滤苦卤,即得到碱式氯化镁与氢氧化镁晶须混合物。

6.根据权利要求5所述的利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述暴晒为暴晒至45℃;所述NaOH溶液浓度为0.8mol/L。

7.根据权利要求1所述的利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法,其特征在于,将过滤后的苦卤引入至透明容器中,于太阳光下暴晒至35~40℃;向暴晒后的苦卤中加入1~1.5mol/L NaOH溶液,于太阳光下继续暴晒,再过滤苦卤,即得到碱式氯化镁与氢氧化镁晶须混合物。

8.根据权利要求7所述的利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述暴晒为暴晒至40℃;所述NaOH溶液浓度为1.2mol/L。

9.根据权利要求1所述的利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述透明容器为透明玻璃水缸。

10.权利要求1~9任一项所述利用太阳能从苦卤中制备氢氧化镁晶须的方法在盐湖或海水中制备碱式镁盐晶须上的应用。

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