[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括若干第一区和位于相邻第一区之间的第二区，所述鳍部第二区内具有开口；

在所述基底上、鳍部的侧壁和开口内具有初始隔离层；

在所述开口内的初始隔离层上、以及所述开口内初始隔离层两侧的鳍部部分第一区上形成保护结构，所述保护结构包括：第一保护层和位于所述第一保护层侧壁的第二保护层，第一保护层密度较所述第二保护层密度大；

采用刻蚀工艺去除部分位于基底和鳍部的侧壁的初始隔离层，形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于鳍部的顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为：2纳米～30纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离层的过程中，第一保护层和第二保护层的刻蚀选择比为：10：1～200：1。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护结构的形成步骤包括：在所述初始隔离层和鳍部上形成掩膜层，所述掩膜层具有掩膜开口，所述掩膜开口的底部暴露出初始隔离层和初始隔离层两侧的鳍部部分第一区的顶部表面；在所述掩膜开口内形成所述保护结构。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿鳍部延伸方向上，所述掩膜开口的尺寸为：32纳米～80纳米。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括：氮化硅、非晶硅或者氮化钛。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括非晶硅或者氮化钛时，所述第一保护层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或者氮硼化硅；所述第二保护层的材料包括：氧化硅。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅时，所述第一保护层的材料包括：氧化硅，所述第二保护层的材料包括：氧化硅；所述第一保护层的形成工艺包括：低压化学气相沉积工艺或者高温原子层沉积工艺；所述第二保护层的形成工艺包括：等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺或者流体化学气相沉积工艺。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的形成工艺为：低压化学气相沉积工艺时，所述低压化学气相沉积工艺的参数包括：反应物包括硅源气体和氧源气体，所述硅源气体包括硅烷，所述硅源气体的流量为20标准毫升/每分钟～100标准毫升/每分钟，氧源气体包括一氧化二氮，所述氧源气体的流量为500标准毫升/每分钟～4800标准毫升/每分钟，压强为0.2托～8.5托，温度为750摄氏度～950摄氏度，时间为20秒～1000秒；所述第二保护层的形成工艺为：流体化学气相沉积工艺时，所述流体化学气相沉积工艺的参数包括：反应物包括硅源气体和氧源气体，硅源气体包括N(SiH₃)₃，氧源气体包括氧气，硅源气体的流量为20标准毫升/每分钟～10000标准毫升/每分钟，催化气体包括氨气，温度为30摄氏度～90摄氏度，压强为0.01托～10托。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的材料包括：氧化硅。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离层的工艺包括：湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀剂包括氢氟酸溶液，刻蚀剂的质量百分比浓度为0.1％～1％。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除部分初始隔离层的过程中，部分所述保护结构的顶部被去除。