[发明专利]基板输送装置和基板输送方法有效
申请号: | 201710443410.7 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN107492516B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 森川胜洋;松岛祐大 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输送 装置 方法 | ||
1.一种基板输送装置,其特征在于,具备:
第一支承部和第二支承部,所述第一支承部和所述第二支承部从基板的下方支承该基板;
升降机构,其使所述第二支承部在第一位置与第二位置之间升降,其中,所述第一位置是比固定式的所述第一支承部的高度高的位置,所述第二位置是比所述第一支承部的高度低的位置;
控制部,其对所述升降机构进行控制;以及
检测部,其对所述第二支承部的外表面进行检测,
其中,所述控制部基于所述检测部的检测结果来判定所述第二支承部是否处于所期望的升降状态,
在输送处理前的所述基板的情况下,所述控制部使所述升降机构将所述第二支承部下降至所述第二位置,当所述控制部基于所述检测部的检测结果判定为所述第二支承部处于所述第二位置时,利用所述第一支承部保持并输送处理前的所述基板,在输送处理后的所述基板的情况下,所述控制部使所述升降机构将所述第二支承部上升至所述第一位置,当所述控制部基于所述检测部的检测结果判定为所述第二支承部处于所述第一位置时,利用所述第二支承部保持并输送处理后的所述基板。
2.根据权利要求1所述的基板输送装置,其特征在于,
还具备防偏移构件,该防偏移构件具有比所述第一位置高的高度,被配置在将所述基板的偏移限制在规定的允许范围内的位置。
3.根据权利要求1或2所述的基板输送装置,其特征在于,
在基于被该第二支承部支承的所述基板的规定的基准位置的中心虚拟地描绘的同一同心圆的圆周上等间隔地设置多个所述第二支承部。
4.根据权利要求1或2所述的基板输送装置,其特征在于,
在基于被该第一支承部支承的所述基板的规定的基准位置的中心虚拟地描绘的同一同心圆的圆周上等间隔地设置多个所述第一支承部。
5.根据权利要求1或2所述的基板输送装置,其特征在于,
关于所述第一支承部和所述第二支承部,
以一个所述第一支承部和一个所述第二支承部为一个组,至少设置三个所述组。
6.根据权利要求1或2所述的基板输送装置,其特征在于,
所述第一支承部和所述第二支承部利用作用于所述基板与所述第一支承部和所述第二支承部相接触的接触面的摩擦力,来保持所述基板。
7.根据权利要求6所述的基板输送装置,其特征在于,
所述第一支承部和所述第二支承部至少所述接触面的材质是橡胶。
8.一种基板输送装置中的基板输送方法,其中,该基板输送装置具备:第一支承部和第二支承部,所述第一支承部和所述第二支承部从基板的下方支承该基板;升降机构,其使所述第二支承部在第一位置与第二位置之间升降,所述第一位置是比固定式的所述第一支承部的高度高的位置,所述第二位置是比所述第一支承部的高度低的位置;控制部,其对所述升降机构进行控制;以及检测部,其对所述第二支承部的外表面进行检测,该基板输送方法的特征在于,
包括支承工序以及控制工序,
其中,在所述支承工序中,在输送处理前的所述基板的情况下,由所述第一支承部支承所述基板,在输送处理后的所述基板的情况下,由所述第二支承部在所述第一位置支承所述基板,
在所述控制工序中,所述控制部基于所述检测部的检测结果来判定所述第二支承部是否处于所期望的升降状态,
在所述控制工序中,在输送处理前的所述基板的情况下,所述控制部使所述升降机构将所述第二支承部下降至所述第二位置,当所述控制部基于所述检测部的检测结果判定为所述第二支承部处于所述第二位置时,利用所述第一支承部保持并输送处理前的所述基板,在输送处理后的所述基板的情况下,所述控制部使所述升降机构将所述第二支承部上升至所述第一位置,当所述控制部基于所述检测部的检测结果判定为所述第二支承部处于所述第一位置时,利用所述第二支承部保持并输送处理后的所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造