[发明专利]射频（RF）传导媒介

权利要求书

1.一种施加到结构的射频（RF）传导媒介，所述媒介包括：

电介质材料；和

设置在所述电介质材料内且在第一方向上延伸的多条传导路径，所述多条传导路径降低所述结构的插入损耗，所述多条传导路径中的每一条传导路径包括：

至少部分由所述电介质材料环绕的第一部分；以及

连续连接于所述第一部分的第二部分，其中所述第二部分在接合点与所述多条传导路径中的至少一条其它传导路径电耦合。

2.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中至少部分环绕每一条传导路径的第一部分的电介质材料配置为降低在与第一方向大致垂直的第二方向上传送RF能量。

3.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中所述多条传导路径周期性地分散在所述电介质材料中。

4.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中所述多条传导路径为以作为碳、银、铜、铝或金中的至少一个的元素构成的纳米材料。

5.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，所述多条传导路径中的每一条传导路径为作为引线、条带、管或薄片中的至少一个的结构。

6.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，所述多条传导路径中的每一条传导路径在期望操作频率处具有不大于所述RF传导媒介的趋肤深度“δ”的直径。

7.如权利要求6所述的RF传导媒介，其中，趋肤深度“δ”计算为：

其中，μ₀是真空的磁导率，μ_r是形成所述多条传导路径的纳米材料的相对磁导率，ρ是所述纳米材料的电阻系数，f是期望操作频率。

8.如权利要求6所述的RF传导媒介，其中，所述期望操作频率是以下项中的至少一个：腔体滤波器的谐振频率、天线的谐振频率、波导的截止频率、同轴缆线的操作频率、或包括腔体滤波器和天线的集成结构的组合操作频率范围。

9.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，所述多条传导路径中的每一条传导路径具有小于50nm-4000nm的厚度。

10.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，所述多条传导路径中的每一条传导路径具有小于1000nm-3000nm的厚度。

11.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，所述多条传导路径中的每一条传导路径具有小于1500nm-2500nm的厚度。

12.如权利要求1所述的RF传导媒介，还包括保护层，其覆盖所述多条传导路径。

13.如权利要求12所述的RF传导媒介，其中，所述保护层包括在期望操作频率处对于RF能量隔离并且基本上透明的材料。

14.如权利要求13所述的RF传导媒介，其中，所述材料为聚合物涂层和玻璃纤维涂层中的至少一个。

15.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中所述电介质材料配置为机械支撑所述多条传导路径。

16.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中所述多条传导路径中的每一条传导路径沿所述第一方向传导并且沿与所述第一方向基本上垂直的第二方向弱传导。

17.如权利要求16所述的RF传导媒介，其中所述电介质材料包括空气。

18.如权利要求16所述的RF传导媒介，其中，所述所述多条连续传导路径中的每一条连续传导路径为单壁化碳纳米管（SWCNT）、多壁化纳米管（MWCNT）和石墨烯中的至少一个。