[发明专利]一种FinFET器件的制作方法有效
| 申请号： | 201710444304.0 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109087860B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 制作方法 | ||
1.一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括多个鳍片，所述第二区域包括多个鳍片；
在所述半导体衬底上形成第一掺杂层，所述第一掺杂层覆盖所述第二区域；
沉积隔离材料层，以完全填充所述多个鳍片之间的间隙；
执行第一次退火处理；
回蚀刻所述隔离材料层，以露出部分所述鳍片，形成具有目标高度的鳍片；
在所述半导体衬底上形成第二掺杂层，所述第二掺杂层覆盖所述第一区域；
执行第二次退火处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂层包括掺磷硅玻璃层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掺杂层包括掺硼硅玻璃层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层均包括固态源掺杂层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域包括NMOS区域，所述第二区域包括PMOS区域。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一掺杂层之后和形成所述第二掺杂层之前，还包括在所述多个鳍片之间形成隔离结构的步骤，包括：
在所述半导体衬底上形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述第一区域和所述第二区域。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述衬垫层包括氧化物衬垫材料。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，使用流动式化学气相沉积法沉积形成的氧化硅作为所述隔离材料层。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述隔离结构的顶面低于所述鳍片的顶面。
10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述回刻蚀 过程中，还包括去除所述鳍片露出部分的侧壁上的所述衬垫层和所述第一掺杂层的步骤。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述第二次退火处理之后还包括去除所述第二掺杂层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710444304.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件的制造方法
- 下一篇：半导体器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
