[发明专利]一种超低插损的高功率光纤耦合结构在审
申请号: | 201710445684.X | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN109085677A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 吴砺;林磊;董海军;蔡光明 | 申请(专利权)人: | 福州高意光学有限公司 |
主分类号: | G02B6/255 | 分类号: | G02B6/255;G02B6/34 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 余小丽 |
地址: | 350000 福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 泵浦光纤 信号光纤 泵浦光 插损 高功率光纤 光反射结构 耦合结构 包层 熔接 全内反射 耦合 高功率 光输出 耦合器 移位 反射 射出 | ||
本发明公开一种超低插损的高功率光纤耦合结构,其包括N根泵浦光纤和一根信号光纤,其中N为大于或等于1的整数;N根泵浦光纤与信号光纤熔接成一体,各泵浦光纤光输出的一端上设有光反射结构。本发明将各泵浦光纤1熔接固定在信号光纤的表面上,各泵浦光纤与信号光纤的相对位置能保持稳定,不会产生移位;此外,泵浦光纤内的泵浦光经全内反射的光反射结构的反射后进入信号光纤的包层内,泵浦光几乎不会再从端面射出,因此各泵浦光纤内的泵浦光几乎实现100%在信号光纤的包层内进耦合,从而实现超低插损的高功率耦合器。
技术领域
本发明涉及光通信器件技术领域,尤其涉及一种超低插损的高功率光纤耦合结构。
背景技术
光纤耦合是光集成器件封装中的一个重要问题。现有技术中的光纤的耦合结构单一,泵浦光在光纤内的行走路程有限,对泵浦光的利用率也低进而功率不高,且普遍存在着较高的插损。
发明内容
本发明专利的目的在于克服现有技术的不足,提供一种超低插损的高功率光纤耦合结构。
本发明专利采用的技术方案是:
一种超低插损的高功率光纤耦合结构,其包括N根泵浦光纤和一根信号光纤,其中N为大于或等于1的整数;N根泵浦光纤与信号光纤熔接成一体,各泵浦光纤光输出的一端上设有光反射结构。
所述光反射结构为设于泵浦光纤光输出的一端的泵浦光纤光栅。
所述光反射结构为镀于泵浦光纤光输出一端的高反射率反射膜。
所述泵浦光纤对应高反膜处设有悬空保护套管,防止灰尘污染端面,进而造成膜层损失。
所述信号光纤对应泵浦光纤光输入的一端处设有信号光纤光栅。
各所述泵浦光纤光输入的一端耦合连接有多根前级泵浦光纤。
本发明采用以上技术方案,将各泵浦光纤熔接固定在信号光纤的表面上,各泵浦光纤与信号光纤的相对位置能保持稳定,不会产生移位;此外,泵浦光纤内的泵浦光经全内反射的光反射结构的反射后进入信号光纤的包层内,泵浦光几乎不会再从端面射出,因此各泵浦光纤内的泵浦光几乎实现100%在信号光纤的包层内进行耦合,从而实现超低插损的高功率耦合器。
附图说明
以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明;
图1为本发明一种超低插损的高功率光纤耦合结构的实施1的结构示意图;
图2为本发明一种超低插损的高功率光纤耦合结构的实施2的结构示意图;
图3为本发明一种超低插损的高功率光纤耦合结构的实施3的结构示意图。
具体实施方式
实施例1:
如图1所示,本发明公开了一种超低插损的高功率光纤耦合结构,其包括N根泵浦光纤1和一根信号光纤2,其中N为大于或等于1的整数;N根泵浦光纤1与信号光纤2熔接成一体,各泵浦光纤1光输出的一端上设有光反射结构11,所述光反射结构11为设于泵浦光纤1光输出的一端的泵浦光纤光栅11。
所述信号光纤2对应泵浦光纤1光输入的一端处设有信号光纤光栅21。信号光纤2上的信号光纤光栅21对泵浦光纤1的激光高反射,且信号光纤光栅21可对信号光纤2的信号全透过。
本实施例1采用以上技术方案,将各泵浦光纤1熔接固定在信号光纤2的表面上,各泵浦光纤1与信号光纤2的相对位置能保持稳定,不会产生移位;此外,泵浦光纤1内的泵浦光经全内反射的光反射结构11的反射后进入信号光纤2的包层内,泵浦光几乎不会再从端面射出,因此各泵浦光纤1内的泵浦光几乎实现100%在信号光纤2的包层内进行耦合,从而实现超低插损的高功率耦合器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州高意光学有限公司,未经福州高意光学有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710445684.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。