[发明专利]一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法在审

专利信息
申请号: 201710446253.5 申请日: 2017-06-14
公开(公告)号: CN107247845A 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 黄洪钟;叶培莲;李彦锋;黄承赓;彭卫文;黄思思;郭来小 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 代理人: 周永宏
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 失效 物理 模型 芯片 组件 可靠性分析 方法
【权利要求书】:

1.一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法,其特征在于,包括:

S1、确定多芯片组件在寿命周期内的任务剖面;

S2、根据步骤S1的任务剖面确定其环境载荷剖面;

S3、根据任务剖面和环境载荷剖面得到对应的多芯片组件应力剖面集合;

S4、根据步骤S3的多芯片组件应力剖面集合,对该多芯片组件进行FMMEA分析;确定该多芯片组件潜在的失效机理与失效模式;

S5、根据步骤S4的多芯片组件潜在的失效机理与失效模式,确定失效物理模型。

2.根据权利要求1所述的一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法,其特征在于,所述多芯片组件的每一个任务剖面对应一个环境载荷剖面。

3.根据权利要求2所述的一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法,其特征在于,所述环境载荷剖面包括:温度、振动、温度的持续时间以及振动的持续时间。

4.根据权利要求1所述的一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法,其特征在于,所述步骤S3具体为:采用计算机模拟仿真将环境载荷剖面施加到多芯片组件的有限元物理模型上,并将其热分析结果作为该多芯片组件热分析的边界条件进行加载,获得各组成单元对应的应力剖面集合;

所述一个环境载荷剖面对应各组成单元的一个应力剖面集合。

5.根据权利要求1所述的一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法,其特征在于,步骤S4中所述FMMEA分析具体为:

A1、确定多芯片组件的系统结构与功能,首先定义要分析的多芯片组件系统,并确定该系统下每一个构件的功能,列表出每一个构件有关的功能;

A2、确定多芯片组件潜在失效模式,包括:互连失效、封装失效;

A3、确定潜在失效机理,包括:过应力失效、耗损失效。

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