[发明专利]光电半导体装置

权利要求书

1.一种光电半导体装置，其特征在于，包括：

一磊晶基材；

多个微尺寸光电半导体元件，间隔设置于所述磊晶基材的表面，其中，各所述微尺寸光电半导体元件的边长分别介于1微米与100微米之间，且两个相邻的所述微尺寸光电半导体元件的最小间距为1微米；以及

一矩阵电路基板，包括：

一基材，与所述磊晶基材及所述微尺寸光电半导体元件相对而设，

一矩阵电路，设置于所述矩阵电路基板的所述基材上，并面对所述磊晶基材的所述表面，各所述微尺寸光电半导体元件具有第一电极与第二电极，所述矩阵电路具有多个第三电极与多个第四电极，所述第一电极分别与所述第三电极电性连接，所述第二电极分别与所述第四电极电性连接。

2.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，其中所述磊晶基材为蓝宝石基材、砷化镓基材、或碳化硅基材。

3.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，其由磊晶片经磊晶工艺得到所述微尺寸光电半导体元件之后，经裁切而得。

4.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，还包括：

导电线路，设置于所述磊晶基材的所述表面，并与所述微尺寸光电半导体元件的电极电性连接。

5.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，其中所述微尺寸光电半导体元件包含发光元件及光接收元件。

6.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，其中当第一电压提供给所述微尺寸光电半导体元件时，所述微尺寸光电半导体元件为发光元件，当第二电压提供给所述微尺寸光电半导体元件时，所述微尺寸光电半导体元件为光接收元件，其中所述第一电压的极性与所述第二电压的极性相反。

7.根据权利要求6所述的光电半导体装置，其特征在于，其中所述发光元件与所述光接收元件为相邻设置。

8.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，所述矩阵电路基板为主动式矩阵基板。

9.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，其中所述多个微尺寸光电半导体元件包含：

一第一微尺寸光电半导体元件，被提供一第一电压时成为发光元件，被提供一第二电压时为光接收元件，所述第二电压与所述第一电压的极性相反；以及

一第二微尺寸光电半导体元件，被提供一第一电压时成为发光元件，被提供一第二电压时为光接收元件，

当所述光电半导体装置进行指纹辨识侦测时，所述发光元件发出光线射向指纹，经指纹的凹凸纹路反射的光线被所述光接收元件所接收，进而产生感测信号。

10.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，还包括：

光致发光层，设置于所述磊晶基材远离所述微尺寸光电半导体元件的一侧。

11.根据权利要求10所述的光电半导体装置，其特征在于，其中所述光致发光层为量子点结构层、或荧光层。

12.根据权利要求10所述的光电半导体装置，其特征在于，还包括：

滤光基板，设置所述光致发光层远离所述磊晶基材的一侧。

13.根据权利要求12所述的光电半导体装置，其特征在于，其中所述滤光基板具有多个滤光区块，所述滤光区块分别对应于所述微尺寸光电半导体元件。