[发明专利]晶片的抛光控制方法及抛光系统

权利要求书

1.一种晶片的抛光系统，所述晶片在底面形成有光透过性材质的抛光层，其特征在于，包括：

抛光垫，其在抛光板上旋转；

光照射部，其向所述晶片的抛光层照射光；

调节器，其对所述抛光垫加压并改性；

光接收部，其接收在所述抛光层的第1位置反射的第1光干涉信号以及在不同于所述第1位置的第2位置反射的第2光干涉信号；

控制部，其调节对所述晶片加压的抛光头的压力，以减小所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的偏差。

2.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

还包括对所述抛光垫的表面进行改性的调节器，

所述控制部以减小所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号偏差的控制形态，调节所述调节器对所述抛光垫的压力。

3.根据权利要求2所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

如果所述第1光干涉信号比所述第2光干涉信号滞后，则将与所述第1位置对应的区域中的调节器的压力降低为，低于与所述第2位置对应的区域中的调节器的压力。

4.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

所述抛光头具备分割成多个的压力腔，所述压力腔包括第1压力腔和第2压力腔，用于对晶片加压；

所述第1位置及所述第2位置是互不相同的所述第1压力腔及所述第2压力腔的下侧位置。

5.根据权利要求4所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

所述抛光头独立地调节被分割为多个的所述压力腔的压力，调节所述晶片的压力。

6.根据权利要求5所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

所述第1压力腔和所述第2压力腔是所述多个压力腔中相邻配置的压力腔。

7.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

所述抛光头调节对所述晶片施加的压力，以便消除所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的相位差。

8.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

所述抛光头调节对所述晶片施加的压力，以便消除所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的光强度(intensity)的偏差。

9.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

所述抛光层为氧化物层。

10.根据权利要求4所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

如果所述第1光干涉信号比所述第2光干涉信号滞后，所述控制部则使通过所述第1压力腔向所述晶片导入的第1压力高于通过所述第2压力腔向所述晶片导入的第2压力。

11.根据权利要求4～6中任意一项所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

所述光接收部在所有所述多个压力腔的下侧分别接收至少一个位置的光干涉信号。

12.根据权利要求1～10中任意一项所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

所述光照射部照射具有2个以上波长的光，所述光接收部接收具有2个以上波长的光；

所述控制部在所述第1位置和所述第2位置接收的对于多波长光的光干涉信号中，选择对于至少一个具有既定相位值的波长值的所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号，并对比所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号。

13.根据权利要求12所述的晶片的抛光系统，其特征在于，

被选择为所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号并为控制所述抛光头的压力所使用的光干涉信号的波长值，随着所述晶片的抛光工序的进行而变动。