[发明专利]一种含InGaN插入层的增强型GaN_HEMT制备方法

权利要求书

1.一种含InGaN插入层的增强型GaN_HEMT制备方法，包括如下步骤：

步骤1：在衬底上生长GaN HEMT异质结构，从下至上包括成核层、缓冲层、插入层和势垒层；

步骤2：在上述异质结构之上继续生长InGaN氧化层，作为后续工艺的氧化腐蚀自停止层；

步骤3：在氧化层上继续生长GaN层，和氧化层配合抬高下方异质结中二维电子气沟道至内部费米能级之上，至此完成外延结构生长；

步骤4：通过光刻显影方式和剥离工艺，在上述外延结构上形成P型栅极氧化保护掩膜，并打开P型栅极以外的区域，通过氧等离子和热氧化方法对该区域进行氧化；

步骤5：在上述经过氧化的晶圆上进行湿法腐蚀，溶解InGaN的氧化物进而移除P型栅极区域以外的P型GaN层，最后去除P型栅极保护掩膜；

步骤6：在上述完成P型栅极制备的GaN HEMT结构的晶圆上，进行GaN HEMT器件工艺制备，依次进行有源区隔离，源、漏极欧姆金属制备，栅极金属制备，表面钝化层制备及其开孔，电极加厚，金属互联等相关工艺。

2.根据权利要求1所述的含InGaN插入层的增强型GaN_HEMT制备方法，其特征在于：所述步骤1和步骤2所采用的生长方式包括MOCVD，MBE和HVPE。

3.根据权利要求1所述的含InGaN插入层的增强型GaN_HEMT制备方法，其特征在于：所述InGaN层厚度为5-20n，In组分含量在5％-40％之间，掺杂类型为P型。

4.根据权利要求1所述的含InGaN插入层的增强型GaN_HEMT制备方法，其特征在于：所述GaN层为P型GaN外延，厚度为5-100nm。

5.根据权利要求1所述的含InGaN插入层的增强型GaN_HEMT制备方法，其特征在于：所述步骤4中氧化温度为600℃以下，氧化时间1-60分钟。

6.根据权利要求1所述的含InGaN插入层的增强型GaN_HEMT制备方法，其特征在于：所述湿法腐蚀的腐蚀溶液腐蚀溶可以是KOH，HCl和有机溶液，湿法腐蚀温度低于100℃，湿法腐蚀时间30-120分钟。