[发明专利]一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块

权利要求书

1.一种低寄生电感功率模块，其特征在于，包括输入功率端子、输出功率端子(3)、顶部金属绝缘基板(4)、底部金属绝缘基板(5)和塑封外壳(15)，所述输入功率端子包括正极功率端子(1)、负极功率端子(2)，顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)叠层设置，顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)在二者相对的面上均烧结有芯片，正极功率端子(1)、负极功率端子(2)以及与输出功率端子(3)均与芯片电连接；所述输出功率端子(3)包括焊接部(31)和位于塑封外壳(15)外部的连接部(32)，所述焊接部(31)位于顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)之间；

关于顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)上芯片的设置，有第一方案和第二方案这两个并列方案：

第一方案为：所述底部金属绝缘基板(5)上烧结有上半桥开关芯片(6)和上半桥二极管芯片(7)，顶部金属绝缘基板(4)上烧结有下半桥开关芯片(8)和下半桥二极管芯片(9)，所述上半桥开关芯片(6)与下半桥二极管芯片(9)叠层设置，下半桥开关芯片(8)与上半桥二极管芯片(7)叠层设置，焊接部(31)位于顶部金属绝缘基板(4)上烧结的芯片和底部金属绝缘基板(5)上烧结的芯片之间；

第二方案为：所述顶部金属绝缘基板(4)上烧结的芯片为下半桥二极管芯片(9)和上半桥二极管芯片(7)，底部金属绝缘基板(5)上烧结的芯片为下半桥开关芯片(8)和上半桥开关芯片(6)，其中，下半桥二极管芯片(9)与上半桥开关芯片(6)叠层设置，上半桥二极管芯片(7)与下半桥开关芯片(8)叠层设置，焊接部(31)位于顶部金属绝缘基板(4)上烧结的芯片和底部金属绝缘基板(5)上烧结的芯片之间。

2.根据权利要求1所述的一种低寄生电感功率模块，其特征在于，对于第一方案，所述正极功率端子(1)烧结在底部金属绝缘基板(5)上，负极功率端子(2)烧结在顶部金属绝缘基板(4)上。

3.根据权利要求1所述的一种低寄生电感功率模块，其特征在于，对于第一方案，所述正极功率端子(1)烧结在底部金属绝缘基板(5)上，负极功率端子(2)烧结在顶部金属绝缘基板(4)上，底部金属绝缘基板(5)或顶部金属绝缘基板(4)上设有输出局部金属层(562)，输出功率端子(3)通过输出局部金属层(562)连接有芯片连接块，芯片连接块与底部金属绝缘基板(5)上的芯片和顶部金属绝缘基板(4)上的芯片电连接。

4.根据权利要求1所述的一种低寄生电感功率模块，其特征在于，对于第一方案，所述正极功率端子(1)和负极功率端子(2)均烧结在顶部金属绝缘基板(4)上，并且至少一个输入功率端子与底部金属绝缘基板(5)通过金属连接柱相连；或者，正极功率端子(1)和负极功率端子(2)均烧结在底部金属绝缘基板(5)上，并与顶部金属绝缘基板(4)通过金属连接柱相连；或者，正极功率端子(1)和负极功率端子(2)与顶部金属绝缘基板(4)和底部金属绝缘基板(5)均烧结；所述焊接部(31)位于顶部金属绝缘基板(4)上烧结的芯片和底部金属绝缘基板(5)上烧结的芯片之间。

5.根据权利要求1所述的一种低寄生电感功率模块，其特征在于，对于第二方案，所述正极功率端子(1)和负极功率端子(2)均烧结在顶部金属绝缘基板(4)上，并且至少一个输入功率端子与底部金属绝缘基板(5)通过金属连接柱相连；或者，正极功率端子(1)和负极功率端子(2)均烧结在底部金属绝缘基板(5)上，并与顶部金属绝缘基板(4)通过金属连接柱相连；或者，正极功率端子(1)和负极功率端子(2)与顶部金属绝缘基板(4)和底部金属绝缘基板(5)均烧结。

6.根据权利要求2所述的一种低寄生电感功率模块，其特征在于，所述焊接部(31)在面向底部金属绝缘基板(5)的一面与上半桥开关芯片(6)和上半桥二极管芯片(7)烧结，在面向顶部金属绝缘基板(4)的一面与下半桥开关芯片(8)和下半桥二极管芯片(9)烧结。