[发明专利]一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法和键合结构

权利要求书

1.一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤:

步骤1，在晶圆的介质层表面预设位置处沉积正面键合点，所述晶圆包括基底和介质层，所述介质层包含多个金属连接点；

步骤2，将所述介质层的部分金属连接点引出至介质层表面没有电路的位置，形成金属转移点；

步骤3，在金属转移点处进行通孔刻蚀，形成多个通孔，每个通孔均延伸到所述基底的内部；

步骤4，对所述通孔内部进行导电金属淀积，填充所述通孔；

步骤5，翻转所述晶圆，对所述基底远离所述介质层的表面进行减薄和化学机械平坦化处理，直至露出所述步骤4中沉积的导电金属，所述导电金属作为背面键合点，形成正面和背面都有键合点的用于多层键合堆叠的键合结构。

2.根据权利要求1所述的一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法，其特征在于，所述介质层为多层结构，所述介质层的每一层都包含多个金属连接点。

3.根据权利要求2所述的一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法，其特征在于，步骤2中，对所述介质层中任意一层的金属连接点进行引出,形成金属转移点。

4.根据权利要求1所述的一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法，其特征在于，步骤3中，所述通孔刻蚀采用干法刻蚀形成所述通孔。

5.根据权利要求1所述的一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法，其特征在于，所述通孔相对于晶圆的垂直方向具有预设范围的倾斜角度。

6.根据权利要求1所述的一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法，其特征在于，步骤4中，所述导电金属的材料为Sn、Au、Ag、Cu、Ni、Cr、Ti、W和TiW中的一种或者多种的组合。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法，其特征在于，在步骤4和步骤5之间还包括隔离层沉积步骤,具体为:在所述通孔内部沉积隔离层，所述隔离层形成于通孔的内壁，通过干法刻蚀或者湿法腐蚀对所述隔离层进行处理。

8.根据权利要求7所述的一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法，其特征在于，所述隔离层材料为PETEOS薄膜、SiO2、氮化硅和聚酰亚胺中的任意一种或者几种的组合。

9.一种键合结构，其特征在于,所述键合结构包括晶圆，所述晶圆包括基底、介质层、设置在介质表面的正面键合点和设置在基底远离所述介质层的表面的背面键合点，所述背面键合点为将所述介质层的部分金属连接点引出至介质层表面没有电路的位置，形成金属转移点，在金属转移点处进行通孔刻蚀，形成多个通孔，每个通孔均延伸到所述基底的内部，对所述通孔内部进行导电金属淀积，填充所述通孔，翻转所述晶圆，对所述基底远离所述介质层的表面进行减薄和化学机械平坦化处理，直至露出沉积的导电金属而形成的。

10.根据权利要求9所述的键合结构，其特征在于，所述介质层为多层结构，所述介质层的每一层都包含多个金属连接点。