[发明专利]铁电内存及其数据读取、写入与制造方法和电容结构

权利要求书

1.一种铁电内存的数据读取方法，适用于读取储存在一铁电内存中的数据，该铁电内存包括至少一铁电记忆胞，该铁电记忆胞包括一第一场效应晶体管以及一第一铁电电容，该第一场效应晶体管包括控制端、第一通路端及第二通路端，该第一铁电电容包括第一电容端与第二电容端，该第一场效应晶体管的控制端电性耦接至一第一字线，该第一场效应晶体管的第一通路端电性耦接至一第一位线，该第一场效应晶体管的第二通路端电性耦接至该第一铁电电容的第一电容端，该第一铁电电容的第二电容端电性耦接至一板线，其特征在于：

提供一第一讯号至该板线，其中该第一讯号在一第一时段之中的电位与在该第一时段之外的电位不同；

提供一第二讯号至该第一字线，其中该第二讯号在一第二时段之中的电位与在该第二时段之外的电位不同；

在该第二时段之中，取得该第一位线的一第一数据讯号；

在该第一时段之中，根据该第一数据讯号的电位与一第一参考电位之间的关系，写入对应的数据至该铁电记忆胞中；以及

根据该第一数据讯号的电位与该第一参考电位之间的关系，输出该铁电记忆胞所储存的数据，

其中，该第一时段完全涵盖该第二时段，且在该第一时段之中，该第一讯号的电位维持不变。

2.根据权利要求1所述的数据读取方法，其特征在于：

在该第二时段结束的同时或之后，调整该第一位线的电位至一预设电位。

3.根据权利要求2所述的数据读取方法，其特征在于，在该第一时段之中，根据该第一数据讯号的电位与该第一参考电位之间的关系，写入对应的数据至该铁电记忆胞中的步骤，包括：

在该第二时段中写入一第一数据至该铁电记忆胞时，偏压该第一位线至一第一数据写入电位；以及

在该第二时段中写入一第二数据至该铁电记忆胞时，偏压该第一位线至一第二数据写入电位，

其中，该预设电位介于该第一数据写入电位与该第二数据写入电位之间，且该预设电位不等于该第一数据写入电位，也不等于该第二数据写入电位。

4.根据权利要求1所述的数据读取方法，其中该铁电内存还包括一第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管包括控制端、第一通路端及第二通路端，该第二场效应晶体管的控制端电性耦接至一第二字线，该第二场效应晶体管的第一通路端电性耦接至一第二位线，该第二场效应晶体管的第二通路端电性耦接至该第一铁电电容的第一电容端，其特征在于还包括下列步骤：

提供一第三讯号至该第二字线，其中该第三讯号在一第三时段之中的电位与在该第三时段之外的电位不同，

其中，该第一时段完全涵盖该第三时段，且根据该第一数据讯号的电位与该第一参考电位之间的关系，写入对应的数据至该铁电记忆胞中的步骤，是发生在该第三时段中。

5.根据权利要求4所述的数据读取方法，其特征在于：在该第一时段之中，根据该第一数据讯号的电位与该第一参考电位之间的关系，写入对应的数据至该铁电记忆胞中的步骤，包括：

在该第一时段中写入一第一数据至该铁电记忆胞时，偏压该第二位线至一第一数据写入电位；以及

在该第一时段中写入一第二数据至该铁电记忆胞时，偏压该第二位线至一第二数据写入电位。

6.一种铁电内存的数据写入方法，适用于在一铁电内存中写入数据，该铁电内存包括至少一铁电记忆胞，该铁电记忆胞包括一第一场效应晶体管以及一第一铁电电容，该第一场效应晶体管包括控制端、第一通路端及第二通路端，该第一铁电电容包括第一电容端与第二电容端，该第一场效应晶体管的控制端电性耦接至一字线，该第一场效应晶体管的第一通路端电性耦接至一第一位线，该第一场效应晶体管的第二通路端电性耦接至该第一铁电电容的第一电容端，该第一铁电电容的第二电容端电性耦接至一板线，其特征在于：

提供一第一讯号至该板线，其中该第一讯号在一第一时段之中的电位与在该第一时段之外的电位不同；

提供一第二讯号至该字线，其中该第二讯号在一第二时段之中的电位与在该第二时段之外的电位不同；以及

在该第二时段中，提供与要写入该铁电记忆胞的数据相对应的一写入讯号至该第一位线，

其中，该第一时段完全涵盖该第二时段，且在该第一时段之中，该第一讯号的电位维持不变。