[发明专利]紫外线发射装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201710449818.5 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107564895A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘赛锦;王小宁;廖翊韬;道格拉斯·A·柯林斯 | 申请（专利权）人： | 紫岳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外线 发射 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种装置，其包括：
发光二极管(UVLED)，其包括半导体结构，所述半导体结构包括安置在n型区域与p型区域之间的有源层，其中所述有源层发射紫外线辐射；
支架，其中所述UVLED安置在所述支架上；以及
反射层，其安置在环绕所述UVLED的所述支架的表面上。
2.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括安置在所述UVLED上方的透镜。
3.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括电连接垫，其中所述UVLED附接到所述电连接垫，并且所述反射层安置在所述电连接垫的部分上方。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述反射层包括铝，并且所述电连接垫包括金。
5.根据权利要求3所述的装置，其中所述反射层包括安置在透明材料中的颗粒，并且所述电连接垫包括金。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述颗粒是聚四氟乙烯PTFE及Al2O3中的一者。
7.一种方法，其包括：
将第一及第二电气垫安置在支架上；
安置上覆于所述第一及第二电气垫的第一部分的反射层；
图案化所述反射层以形成暴露所述第一及第二电气垫的第二部分的开口；以及
将发光二极管(UVLED)电及物理地连接到所述第一及第二电气垫，所述发光二极管UVLED包括半导体结构，所述半导体结构包括安置在n型区域与p型区域之间的有源层，其中所述有源层发射紫外线辐射。
8.根据权利要求7所述的方法，其中安置上覆于所述第一及第二电气垫的第一部分的反射层包括铝的电子束沉积。
9.根据权利要求7所述的方法，其中安置上覆于所述第一及第二电气垫的第一部分的反射层包括丝网印刷、钢网漏印、点胶及模制颗粒与透明材料的混合物中的一者。
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