[发明专利]铝合金导体、铝合金绞线、被覆电线、线束以及铝合金导体的制造方法有效
申请号: | 201710450122.4 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN107254611B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 关谷茂树;吉田祥;须齐京太;水户濑贤悟 | 申请(专利权)人: | 古河电器工业株式会社;古河AS株式会社 |
主分类号: | C22C21/00 | 分类号: | C22C21/00;C22C21/08;C22C21/02;C22C21/14;C22C21/16;C22F1/043;C22F1/057;C22F1/047;C22F1/04;H01B1/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 李艳;臧建明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铝合金 导体 被覆 电线 以及 制造 方法 | ||
1.一种铝合金导体,其特征在于,具有如下组成:Mg:0.50~1.00质量%、Si:0.50~1.00质量%、Fe:0.15~0.90质量%、Ti:0.000~0.100质量%、B:0.000~0.030质量%、Cu:0.00~1.00质量%、Ag:0.00~0.50质量%、Au:0.00~0.50质量%、Mn:0.00~1.00质量%、Cr:0.00~1.00质量%、Zr:0.00~0.50质量%、Hf:0.00~0.50质量%、V:0.00~0.50质量%、Sc:0.00~0.50质量%、Co:0.00~0.50质量%、Ni:0.00~0.50质量%、余量:Al以及不可避免的杂质,
粒径为0.5~5.0μm的Mg2Si化合物的分散密度为3.0×10-3个/μm2以下,
母相的晶粒之间的晶界中的Si以及Mg的浓度均在2.00质量%以下。
2.一种铝合金导体,其特征在于,具有如下组成:Mg:0.10~0.50质量%、Si:0.10~0.50质量%、Fe:0.15~0.45质量%、Ti:0.000~0.100质量%、B:0.000~0.030质量%、Cu:0.00~1.00质量%、Ag:0.00~0.50质量%、Au:0.00~0.50质量%、Mn:0.00~1.00质量%、Cr:0.00~1.00质量%、Zr:0.00~0.50质量%、Hf:0.00~0.50质量%、V:0.00~0.50质量%、Sc:0.00~0.50质量%、Co:0.00~0.50质量%、Ni:0.00~0.50质量%、余量:Al以及不可避免的杂质,
粒径为0.5~5.0μm的Mg2Si化合物的分散密度为3.0×10-3个/μm2以下,
母相的晶粒之间的晶界中的Si以及Mg的浓度均在2.00质量%以下。
3.根据权利要求1或2所述的铝合金导体,其中,母相的晶粒之间的晶界中的Si以及Mg的浓度均在1.2质量%以下。
4.根据权利要求1或2所述的铝合金导体,其中,所述组成含有选自Ti:0.005~0.050质量%以及B:0.001~0.020质量%中的1种或2种。
5.根据权利要求1或2所述的铝合金导体,其中,所述组成含有选自Cu:0.01~1.00质量%、Ag:0.01~0.50质量%、Au:0.01~0.50质量%、Mn:0.01~1.00质量%、Cr:0.01~1.00质量%、Zr:0.01~0.50质量%、Hf:0.01~0.50质量%、V:0.01~0.50质量%、Sc:0.01~0.50质量%、Co:0.01~0.50质量%、以及Ni:0.01~0.50质量%中的1种或2种以上。
6.根据权利要求1或2所述的铝合金导体,其中,Fe、Ti、B、Cu、Ag、Au、Mn、Cr、Zr、Hf、V、Sc、Co、Ni的含量总和为0.20~0.60质量%。
7.根据权利要求1或2所述的铝合金导体,其中,冲击吸收能量为5J/mm2以上。
8.根据权利要求1或2所述的铝合金导体,其中,通过弯曲疲劳试验测定的到断裂为止的反复次数为20万次以上。
9.根据权利要求1或2所述的铝合金导体,其中,所述铝合金导体的导线束的直径为0.1~0.5mm。
10.一种铝合金绞线,是捻合多条权利要求9所述的导线束而得到。
11.一种被覆电线,是在权利要求9所述的导线束或权利要求10所述的铝合金绞线的外周具有被覆层。
12.一种线束,具备权利要求11所述的被覆电线和安装在该被覆电线的、除去了所述被覆层的端部的端子。
13.根据权利要求1或2所述的铝合金导体的制造方法,其特征在于,该铝合金导体的制造方法包含在熔化、铸造后,经热加工形成盘条,然后,依序进行第一拉丝加工、第一热处理、第二拉丝加工、第二热处理以及时效热处理的各工序,
所述第一热处理是在加热至480~620℃的范围内的规定温度后,以10℃/s以上的平均冷却速度冷却到至少150℃的温度,
所述第二热处理是以低于2分钟的时间加热到300℃以上且低于480℃的范围内的规定温度后,以9℃/s以上的平均冷却速度冷却到至少150℃的温度。
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