[发明专利]熔丝阵列和存储器装置有效

专利信息
申请号: 201710450312.6 申请日: 2017-06-15
公开(公告)号: CN109147857B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 杜盈德 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16;G11C17/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 乔媛;汤在彦
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 阵列 存储器 装置
【权利要求书】:

1.一种熔丝阵列,其特征在于,所述熔丝阵列包括:

多个熔丝,产生多个数据信号;以及

多个第一D型触发器,分别耦接至每一所述熔丝,以接收对应的熔丝所产生的所述数据信号,且传送一时脉信号以及所述数据信号至多个存储器单元包含的多个第二D型触发器,其中所述第一D型触发器以串联的方式连接,且所述第二D型触发器以串联方式连接。

2.根据权利要求1所述的熔丝阵列,其特征在于,所述熔丝阵列还包括:

一数据线,用以从所述第一D型触发器传送所述数据信号至所述第二D型触发器;以及

一时脉线,用以同时提供所述时脉信号至所述第一D型触发器和第二D型触发器。

3.根据权利要求1所述的熔丝阵列,其特征在于,所述熔丝阵列分成多个区块,且每一区块同时被平行处理。

4.根据权利要求3所述的熔丝阵列,其特征在于,每一区块包含所述多个熔丝的不同部分,且被配置对应的一数据线以及一时脉线。

5.根据权利要求1所述的熔丝阵列,其特征在于,所述熔丝为激光熔丝或电子熔丝。

6.一种存储器装置,其特征在于,所述存储器装置包括:

多个存储器单元,其中每一所述存储器单元包含一存储器阵列以及一冗余阵列;

一时脉产生器,产生时脉信号;以及

一熔丝阵列,其中所述熔丝阵列包括:

多个熔丝,产生多个数据信号;以及

多个第一D型触发器,耦接所述时脉产生器以接收所述时脉信号,且分别耦接至所述熔丝的一者,以接收对应的熔丝所产生的所述数据信号,且所述第一D型触发器传送所述时脉信号以及所述数据信号至所述每一存储器单元包含的多个第二D型触发器,其中所述多个第一D型触发器和所述多个第二D型触发器以串联的方式连接,且所述多个第一D型触发器和所述多个第二D型触发器的数量相同。

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,所述多个第二D型触发器被分成多个组,且所述冗余阵列的一字线或位线分别对应一组第二D型触发器。

8.根据权利要求7所述的存储器装置,其特征在于,所存储器装置还包括:

一控制电路,根据所述多个第二D型触发器的输出信号,判断是否启用所述冗余阵列所包括的字线或位线。

9.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,所述熔丝阵列包括:

一数据线,用以从所述多个第一D型触发器传送所述数据信号至所述多个第二D型触发器;以及

一时脉线,用以从所述时脉产生器接收所述时脉信号,且同时提供所述时脉信号至所述多个第一D型触发器和所述多个第二D型触发器。

10.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,所述熔丝阵列分成多个区块,且每一区块同时被平行处理。

11.根据权利要求10所述的存储器装置,其特征在于,每一区块包含所述多个熔丝的不同部分,且被配置对应的一数据线以及一时脉线。

12.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,所述熔丝为激光熔丝或电子熔丝。

13.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,所述时脉产生器产生的所述时脉信号的一周期数量和所述多个第一D型触发器的数量相同。

14.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,所述存储器装置更包括:

多个需调整的电路;以及

多个第三D型触发器,其中每一所述多个需调整的电路包含所述多个第三D型触发器的一或多者。

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