[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明的实施例使用外延生长工艺形成半导体器件的源极/漏极区域。在实施例中，第一步骤包括使用第一前体、第二前体和蚀刻前体形成源极/漏极区域的块体部分。第二步骤包括用蚀刻剂清洁块体部分，同时将成形掺杂剂引入块体部分以便改变暴露表面的晶体结构。第三步骤包括使用第一前体、第二前体和蚀刻前体形成源极/漏极区域的完成区域。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用，诸如例如个人计算机、手机、数码相机和其它电子器件中。半导体器件通常通过在半导体衬底上方顺序地沉积材料的绝缘或介电层、导电层和半导体层，以及使用光刻来图案化各种材料层以在衬底上形成电路部件和元件来制造。

半导体工业通过最小特征尺寸的连续减小来继续改进各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的部件集成至给定区域中。然而，随着最小特征尺寸减小，出现了应该解决的附加问题。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：使用第一前体和第二前体将块体源极/漏极区域外延生长到衬底上；清洁所述块体源极/漏极区域，其中，清洁所述块体源极/漏极区域改变所述块体源极/漏极区域的表面的晶体结构；以及在清理所述块体源极/ 漏极区域之后，在所述块体源极/漏极区域上外延生长完成区域。

根据本发明的另一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一步骤中将第一材料的第一层生长到衬底上，其中，生长所述第一层包括以所述第一材料的第一横向蚀刻速率引入第一前体、第二前体和蚀刻剂；在所述第一步骤之后的第二步骤中，通过所述蚀刻剂将所述第一材料的第一横向蚀刻速率增加至第二横向蚀刻速率；以及在第三步骤中，在所述第一层上生长所述第一材料的第二层，其中，生长所述第一材料的所述第二层包括引入所述第一前体、所述第二前体和所述蚀刻剂。

根据本发明的又一个方面，提供了一种半导体器件，包括：沟道区域，位于半导体材料内；以及源极/漏极区域，与所述沟道区域相邻，其中，所述源极/漏极区域具有在约0.05和约10之间的高宽比，并且包括：块体部分，具有第一掺杂剂的第一浓度；界面区域，具有小于所述第一浓度的所述第一掺杂剂的第二浓度；和清洁区域，具有大于所述第二浓度的所述第一掺杂剂的第三浓度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出根据一些实施例的FinFET晶体管的鳍。

图2示出了根据一些实施例的鳍的一部分的去除。

图3A至图3F示出根据一些实施例的在外延生长室内的源极/漏极区域的再生长。

图4A至图4B示出了根据一些实施例的硅的和掺入锗的硅的蚀刻速率数据。

图5A至图5B示出根据一些实施例的源极/漏极区域的浓度数据。

图6示出了根据一些实施例的用于源/漏区的再生长的工艺流程的概要。

图7A至图7C示出根据一些实施例的对于鳍间隔离区域和对于鳍内隔离区域使用不同深度的另一实施例。

图8示出根据一些实施例的在平面晶体管内使用源极/漏极区域的另一实施例。

具体实施方式