[发明专利]一种基于脉冲充电的软启动电路

权利要求书

1.一种基于脉冲充电的软启动电路，其特征在于，包括脉冲信号产生单元、充电单元和误差放大器单元，

所述脉冲信号产生单元包括第一与门(AND1)、第二与门(AND2)、第一与非门(NAND1)、第一缓冲器(BUFFER1)和第一非门(INV1)，

第一与门(AND1)的第一输入端连接使能信号(VEN)，其输出端输出控制信号(VE)并连接第一与非门(NAND1)的第一输入端；第一与非门(NAND1)的第二输入端连接时钟信号(clk)，其输出端连接第一缓冲器(BUFFER1)的输入端和第一非门(INV1)的输入端；第二与门(AND2)的第一输入端连接第一缓冲器(BUFFER1)的输出端，其第二输入端连接第一非门(INV1)的输出端，其输出端输出窄脉冲信号(V_pulse)；

所述充电单元包括第二反相器(INV2)、第三反相器(INV3)、第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第一施密特反相器(SINV1)和软启动电容(C)，

第二反相器(INV2)的输入端连接所述控制信号(VE)，其输出端连接第一PMOS管(P1)的栅极；第三反相器(INV3)的输入端连接使能信号(VEN)，其输出端连接第二NMOS管(N2)的栅极；第一NMOS管(N1)的栅极连接所述窄脉冲信号(V_pulse)，其漏极连接第一PMOS管(P1)的漏极，其源极连接第二NMOS管(N2)的漏极、第二PMOS管(P2)的漏极和第一施密特反相器(SINV1)的输入端并作为所述充电单元的输出端输出上升电压(V_raise)；第一施密特反相器(SINV1)的输出端连接第二PMOS管(P2)的栅极并输出停止信号连接所述脉冲信号产生单元中第一与门(AND1)的第二输入端；软启动电容(C)接在第二PMOS管(P2)的漏极和地之间，第二NMOS管(N2)的源极接地，第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)的源极接电源电压(VDD)；

所述误差放大器单元的正向输入端连接基准电压(V_ref)，其负向输入端连接反馈电压(V_FB)，其控制端连接所述充电单元产生的上升电压(V_raise)，其输出端输出软启动电压(V_out)。

2.根据权利要求1所述的一种基于脉冲充电的软启动电路，其特征在于，所述误差放大器单元包括第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)、第七PMOS管(P7)、第八PMOS管(P8)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)、第七NMOS管(N7)、第八NMOS管(N8)和基准电流源(I_ref)，

第七PMOS管(P7)的栅极作为所述误差放大器单元的负向输入端，其漏极连接第四NMOS管(N4)的栅极、第五NMOS管(N5)的栅极和漏极；第八PMOS管(P8)的栅极作为所述误差放大器单元的正向输入端，其漏极连接第八NMOS管(N8)的栅极、第七NMOS管(N7)的栅极和漏极；第七PMOS管(P7)和第八PMOS管(P8)的源极相连并连接第六PMOS管(P6)的漏极；

第三NMOS管(N3)的栅极作为所述误差放大器单元的控制端，其漏极连接第五PMOS管(P5)的栅极、第四PMOS管(P4)的栅极和漏极，其源极连接第四NMOS管(N4)的漏极和第六NMOS管(N6)的源极；

第三PMOS管(P3)的栅漏短接并连接第六PMOS管(P6)的栅极，第五PMOS管(P5)的漏极连接第六NMOS管(N6)的漏极和栅极以及第八NMOS管(N8)的漏极并作为所述误差放大器单元的输出端；基准电流源(I_ref)接在第三PMOS管(P3)的漏极和地之间；

第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)的源极接电源电压(VDD)，第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第七NMOS管(N7)和第八NMOS管(N8)的源极接地。