[发明专利]一种改善低温共烧陶瓷基板可焊性的工艺方法有效
| 申请号： | 201710451467.1 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107254679B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 岳帅旗;刘志辉;杨宇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 主分类号： | C23F1/14 | 分类号： | C23F1/14 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 钱成岑 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 低温 陶瓷 基板可焊性 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善低温共烧陶瓷基板可焊性的工艺方法，包括对LTCC基板金属膜层进行腐蚀改性，所述进行腐蚀改性包括：
1）将表面附有焊接金属膜层的LTCC基板浸泡在铬酸溶液中2~5min，溶液温度为35℃~60℃，去除LTCC基板金属膜层表面的油脂及污垢；
2）在碱性溶液中进行浸泡6~15min，溶液温度为40℃~60℃，降低金属膜层表面的玻璃相覆盖率，所述碱性溶液为质量浓度1%~10%的NaOH溶液，溶剂为去离子水或纯水；
步骤1）所述铬酸溶液的溶剂为去离子水或纯水，水与浓度为95~98%的浓硫酸的比例为1:1~1:4，重铬酸钾的质量浓度为1%~4%。
2.根据权利要求1所述的改善低温共烧陶瓷基板可焊性的工艺方法，其特征在于，所述步骤1）的溶液温度为40~50℃。
3.根据权利要求1所述的改善低温共烧陶瓷基板可焊性的工艺方法，其特征在于，还包括在步骤1）后用水彻底清洗LTCC基板再用于步骤2）。
4.根据权利要求1所述的改善低温共烧陶瓷基板可焊性的工艺方法，其特征在于，还包括在步骤2）后用水彻底清洗LTCC基板再进行干燥。
5.根据权利要求4所述的改善低温共烧陶瓷基板可焊性的工艺方法，其特征在于，所述干燥是指用气枪吹去LTCC基板表面水膜，然后将LTCC基板放入60~80℃烘箱进行干燥。
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