[发明专利]半导体装置结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置结构，包括：

一基板；

多个侧壁间隔物，位于该基板上；

一栅极结构，位于该基板上，且位于所述多个侧壁间隔物之间，其中该栅极结构包括：

一栅极介电层，顺应性位于所述多个侧壁间隔物的侧表面上以及位于所述多个侧壁间隔物之间的该基板上；

一功函数层，顺应性位于该栅极介电层上；

一金属电极，位于该功函数层上；及

一氮化物层，覆盖该功函数层及/或该金属电极；以及

多个源极/漏极区，位于该栅极结构的相对侧的该基板中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中该氮化物层的材料包括金属氮化物或金属氮碳化物。

3.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中该氮化物层包括：

一第一氮化物层，位于该金属电极上；及

一第二氮化物层，位于该功函数层上，

其中该第一氮化物层与该第二氮化物层的材料不同。

4.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中该氮化物层包括：

一第一氮化物层，位于该金属电极上；及

一第二氮化物层，位于该功函数层上，

其中该第一氮化物层与该第二氮化物层的材料相同。

5.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中该氮化物层接触该栅极介电层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中该氮化物层与所述多个侧壁间隔物彼此分隔。

7.一种半导体装置结构的制造方法，包括：

提供一基板；

形成多个侧壁间隔物于该基板上；

形成一栅极结构于该基板上，其中该栅极结构位于所述多个侧壁间隔物之间，且该栅极结构包括：

一栅极介电层，顺应性位于所述多个侧壁间隔物的侧表面上以及位于所述多个侧壁间隔物之间的该基板上；

一功函数层，顺应性位于该栅极介电层上；及

一金属电极，位于该功函数层上；以及

进行一氮化步骤，将该金属电极的顶部氮化为一第一氮化物层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置结构的制造方法，还包括：

于该氮化步骤中，将该功函数层的顶部氮化为一第二氮化物层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置结构的制造方法，其中该氮化步骤包括对该金属电极的顶部及该功函数层的顶部施加氮电浆，使该金属电极的顶部与氮电浆反应形成该第一氮化物层，并使该功函数层的顶部与氮电浆反应形成该第二氮化物层。

10.根据权利要求8所述的半导体装置结构的制造方法，其中该氮化步骤包括：

对该金属电极的顶部及该功函数层的顶部施加氮气；及

加热该金属电极的顶部及该功函数层的顶部，使该金属电极的顶部与氮气反应形成该第一氮化物层，并使该功函数层的顶部与氮气反应形成该第二氮化物层。