[发明专利]半导体装置封装

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包括：

第一导电基底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且在所述第一导电基底的所述第一表面中界定第一腔，所述第一腔具有底部表面；

第一半导体裸片，其安置于所述第一腔的所述底部表面上；

电介质层，其安置于所述第一半导体裸片、所述第一导电基底的所述第一表面和所述第二表面上且填充所述第一腔，其中所述电介质层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

第一经图案化导电层，其安置于所述电介质层的所述第一表面上；

第二经图案化导电层，其安置于所述电介质层的所述第二表面上；

多个第一互连结构，其安置于所述电介质层中且电连接到所述第一半导体裸片和所述第一经图案化导电层；以及

多个第二互连结构，其安置于所述电介质层中且电连接到所述第一导电基底的所述第二表面和所述第二经图案化导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：

第二导电基底，其具有第一表面和第二表面，所述第二导电基底的所述第一表面与所述第一导电基底的所述第一表面相对，第二腔界定于所述第二导电基底的所述第一表面中，所述第二导电基底的所述第二腔具有顶部表面；

第二半导体裸片，其安置于所述第二腔的所述顶部表面上，所述电介质层囊封所述第二导电基底的所述第一表面和所述第二表面且囊封所述第二半导体裸片；

其中所述第二导电基底的所述第二表面通过所述多个第一互连结构电连接到所述第一经图案化导电层，且所述第二半导体裸片通过所述多个第二互连结构电连接到所述第二经图案化导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一半导体裸片通过所述第一导电基底和所述第二互连结构电连接到所述第二半导体裸片。

4.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其进一步包括：

第四裸片，其安置于所述第二导电基底的所述第二表面上，其中所述第四裸片电连接到所述第一经图案化导电层。

5.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一和第二导电基底中的至少一者界定至少一个弯曲结构。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：

第一焊料掩模，其安置于所述电介质层的所述第一表面上；以及

第二焊料掩模，其安置于所述电介质层的所述第二表面上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：

第三裸片，其安置于所述第一腔的所述底部表面上，其中所述第三裸片电连接到所述第二经图案化导电层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：

连接元件，其安置于所述电介质层中，其中所述连接元件电连接到所述第一经图案化导电层和所述第二经图案化导电层中的至少一者。

9.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述连接元件是金属组件或填充有导电材料的穿孔。

10.一种半导体装置封装，其包括：

导电基底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且在所述第一导电基底的所述第一表面中界定腔，所述腔具有底部表面；

第一半导体裸片，其安置于所述腔的所述底部表面上；

第二半导体裸片，其安置于所述第一半导体裸片上；

电介质层，其安置于所述导电基底的所述第一表面、所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上且填充所述腔，其中所述电介质层具有第一表面；

第一经图案化导电层和第二经图案化导电层，其安置于所述电介质层的所述第一表面上；

多个第一互连结构，其安置于所述电介质层中且电连接到所述第一半导体裸片和所述第一经图案化导电层；以及

多个第二互连结构，其在所述电介质层中且电连接到所述第二半导体裸片和所述第二经图案化导电层。