[发明专利]过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法在审
| 申请号： | 201710451994.2 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107301961A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王东雷 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,何娇 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 尺寸 图形 重合 精度 点位量测 方法 | ||
1.一种过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10：在面板上设置测试区域；
S20：在所述测试区域内同一点位分别量测过孔的尺寸与图形的重合精度。
2.根据权利要求1所述的过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，步骤S20包括以下子步骤：
S21：在测试区域内同一点位分别设置过孔量测位置与图形重合精度测量位置；
S22：在所述过孔量测位置搜索与目标图形相匹配的过孔，并测量所述过孔的尺寸；
S23：在所述图形重合精度测量位置搜索与目标图形相匹配的图形，并测量所述图形的重合精度。
3.根据权利要求2所述的过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，所述过孔量测位置位于显示区域之外。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，所述过孔的尺寸为过孔的宽度尺寸。
5.根据权利要求4所述的过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，步骤S22中，测量所述过孔的尺寸时，通过线宽测量仪抓取过孔的两条边线，并测量两条边线之间的距离。
6.根据权利要求1-3中任意一项所述的过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，所述图形的重合精度为当前图层上的图形与相应的对位层上的图形在水平方向和竖直方向上的重合精度。
7.根据权利要求6所述的过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，步骤S23中，测量所述图形的重合精度时，通过线宽测量仪分别抓取当前图层上图形的边线以及相应的对位层上的图形的边线，并计算两个图形的边线的重合精度。
8.根据权利要求7所述的过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，通过线宽测量仪先抓取当前图层上图形的四条边，后抓取对位层上的图形的四条边。
9.根据权利要求1-3中任意一项所述的过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，所述测试区域位于介质层、光阻层、金属层或绝缘层。
10.根据权利要求1-3中任意一项所述的过孔尺寸与图形重合精度同点位量测的方法，其特征在于，所述过测试区域为一组或两组。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
