[发明专利]半导体装置封装有效
申请号: | 201710452209.5 | 申请日: | 2017-06-15 |
公开(公告)号: | CN107527890B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 李彗华;邱俊豪;谢慧英;陈国华;邱基综 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 | ||
1.一种半导体装置封装,其包括:
第一导电基底,其具有顶部表面、与所述顶部表面相对的底部表面以及在所述第一导电基底的所述顶部表面与所述第一导电基底的所述底部表面之间延伸的第一横向表面,其中所述第一导电基底的所述第一横向表面包含邻近于所述第一导电基底的所述顶部表面的第一部分以及邻近于所述第一导电基底的所述底部表面的第二部分,其中所述第一导电基底的所述底部表面是平坦的表面,其中所述第一横向表面的所述第一部分是弯曲的以使得其从所述第一导电基底向外突出,所述第一横向表面在中心位置比在所述第一横向表面与所述第一导电基底的所述顶部表面会合的点突出更多,所述第一横向表面的所述第二部分是弯曲的以使得其从所述第一导电基底向外突出,所述第一横向表面在中心位置比在所述第一横向表面与所述第一导电基底的所述底部表面会合的点突出更多;
第一绝缘层,其包括第一绝缘材料,其中所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述第一横向表面的所述第一部分;以及
第二绝缘层,其包括第二绝缘材料,其中所述第二绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述第一横向表面的所述第二部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述底部表面的全部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二绝缘层从所述第一导电基底的所述底部表面延伸到所述第一横向表面的所述第二部分。
4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括安置于所述第一导电基底的所述顶部表面上的第一裸片以及在所述第一导电基底与所述第一裸片之间的粘附层,其中所述第一裸片通过所述粘附层电连接到所述第一导电基底。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括:
第二导电基底,其具有顶部表面、与所述顶部表面相对的底部表面以及在所述第二导电基底的所述顶部表面与所述第二导电基底的所述底部表面之间延伸的第二横向表面,其中所述第二导电基底和所述第一导电基底由所述第一绝缘层分离;以及
第二裸片,其安置于所述第二导电基底上。
6.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其进一步包括安置于所述第一绝缘层中且电连接到所述第一裸片的多个第一互连结构。
7.根据权利要求6所述的半导体装置封装,其中所述多个第一互连结构电连接到所述第一裸片的顶部表面。
8.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一横向表面包含从顶视图看到的突出。
9.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括与所述第一横向表面相对的第二横向表面,其中所述第二横向表面不包含从顶视图看到的突出。
10.根据权利要求5所述的半导体装置封装,其中所述第二绝缘层从所述第一导电基底的所述底部表面延伸到所述第二导电基底的所述底部表面。
11.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述第二绝缘层覆盖所述第二导电基底的所述底部表面的全部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710452209.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置封装
- 下一篇:半导体装置及半导体装置的制造方法