[发明专利]存储器件、存储器阵列结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

存储单元阵列；

第一位线，连接至所述存储单元阵列的第一列中的存储器单元，其中，所述第一位线设置在第一金属层上；

第二位线，连接至所述第一位线，其中，所述第二位线设置在第二金属层上并通过多个通孔连接至所述第一位线；

第一字线，连接至所述存储单元阵列的行；以及

第二字线，连接至所述第一字线并且与所述存储单元阵列的行相关联，

其中，所述第一金属层是多层互连结构的金属-1(M1)层，所述第二金属层是所述多层互连结构的金属-3(M3)层，所述第一字线位于所述多层互连结构的金属-2(M2)层上，所述第二字线位于所述多层互连结构的金属-4(M4)层 ，所述金属-1层至所述金属-4层从底向上依次设置，

其中，所述多个通孔的第一通孔设置在所述存储单元阵列的第一边缘单元区域的边缘单元中，其中，所述边缘单元不具有存储功能。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个通孔从所述第一金属层延伸至所述第二金属层。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，连接所述第一位线和所述第二位线的所述多个通孔的第二通孔设置在所述存储单元阵列的第二边缘单元区域上，所述第二边缘单元区域位于所述存储单元阵列的与所述第一边缘单元区域的相对侧上。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个通孔的第三通孔设置在所述存储单元阵列的单元之间的单元边界处。

5.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

第一互补位线，连接至所述存储单元阵列的所述第一列中的所述存储器单元，其中，所述第一互补位线设置在所述第一金属层上；

第二互补位线，连接至所述第一互补位线，其中，所述第二互补位线在至少两个位置处连接至所述第一互补位线，其中，所述第二互补位线设置在所述第二金属层上。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一位线设置在所述第二位线和衬底的顶面之间，所述存储单元阵列设置在所述衬底上。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个通孔中的至少一个通孔物理接触所述第一位线。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述多个通孔中的至少另一个通孔物理接触所述第二位线。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一位线通过在所述第一金属层下方延伸的第二通孔连接至所述存储器单元的晶体管。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述行和列位于存储器单元的第一阵列中，并且所述存储器件还包括：

存储器单元的第二阵列，与所述存储器单元的第一阵列间隔开；

第三位线，连接至所述存储器单元的第二阵列的第一列中的存储器单元，其中，所述第三位线设置在所述第一金属层上；

第四位线，所述第四位线连接至所述第三位线，其中，所述第四位线设置在所述第二金属层上；以及

另一字线，连接至所述存储器单元的第二阵列的行。

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器单元是DRAM、SRAM、ROM中的一种。