[发明专利]制造具有垂直沟道结构的半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

(a)通过在基底上分别交替地堆叠层间绝缘层和牺牲层n次来形成堆叠结构；

(b)在所述堆叠结构上形成掩模图案；

(c)通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻作为所述堆叠结构的最上面的层间绝缘层的第n层间绝缘层；

(d)通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻作为所述堆叠结构的最上面的牺牲层的第n牺牲层；

(e)蚀刻所述掩模图案的侧壁；

(f)通过使用蚀刻的掩模图案作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻多个层间绝缘层；

(g)通过使用所述蚀刻的掩模图案作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻多个牺牲层；以及

(h)通过重复操作(e)至(g)来形成阶梯结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，包括在所述堆叠结构中的n个层间绝缘层中的至少一个层间绝缘层的厚度与包括在所述堆叠结构中的n-1个层中的至少一个层间绝缘层的厚度不同。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，操作(f)包括当重复k次操作(f)时同时蚀刻从第n-k层间绝缘层到第n层间绝缘层的总数为k+1个层的层间绝缘层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，操作(g)包括当重复k次操作(g)时同时蚀刻从第n-k牺牲层到第n牺牲层的总数为k+1个层的牺牲层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，操作(h)包括重复操作(e)至(g)直到作为所述堆叠结构的最下面的牺牲层的第一牺牲层被蚀刻为止。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述层间绝缘层是氧化硅层，所述牺牲层为氮化硅层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，操作(b)包括光刻工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，操作(e)不包括光刻工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在操作(a)和(b)之间，在所述堆叠结构内部形成在与所述基底垂直的方向上延伸的沟道区。

10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在操作(h)之后，

形成覆盖所述阶梯结构的绝缘层；

去除所述阶梯结构的牺牲层；

在所述牺牲层被从其中去除的空间中形成栅电极层；以及

形成连接到所述栅电极层的接触塞。