[发明专利]MOS管驱动电路在审

专利信息
申请号: 201710453077.8 申请日: 2017-06-15
公开(公告)号: CN109149913A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 周兴鹏;袁再松 申请(专利权)人: 上海铼钠克数控科技股份有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 胡美强;罗朗
地址: 200231 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光电耦合器 电平驱动器 电源连接 电阻 源极 栅极连接 漏极 控制信号输入端 发射极接地 阳极 电气隔离 驱动目标 阴极接地 接地 集电极 输出端 输入端 占空比 负压 关断 电路
【权利要求书】:

1.一种MOS管驱动电路,驱动电路用于驱动目标NMOS管,其特征在于,所述驱动电路包括光电耦合器、电平驱动器、NMOS管、PMOS管、第一电阻,

所述光电耦合器的阳极与控制信号输入端连接、阴极接地,所述光电耦合器的集电极分别与所述电平驱动器的输入端以及第一电源连接,所述光电耦合器的发射极接地,所述电平驱动器的输出端分别与所述NMOS管的栅极以及所述PMOS管的栅极连接,所述NMOS管的漏极与第二电源连接,所述PMOS管的漏极接地,所述NMOS管的源极、所述PMOS管的源极以及所述第一电阻的一端均与所述目标NMOS管的栅极连接,所述第一电阻的另一端以及所述目标NMOS管的源极均与所述第一电源连接。

2.如权利要求1所述的MOS管驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第二电阻、第三电阻,所述NMOS管的漏极与所述第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端与所述第二电源连接,所述PMOS管的漏极与所述第三电阻的一端连接,所述第三电阻的另一端接地。

3.如权利要求2所述的MOS管驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第四电阻、第五电阻,所述电平驱动器的输出端与所述第四电阻的一端连接,所述第四电阻的另一端分别与所述NMOS管的栅极以及所述PMOS管的栅极连接,所述NMOS管的源极以及所述PMOS管的源极均与所述第五电阻的一端连接,所述第五电阻的另一端与所述目标NMOS管的栅极连接。

4.如权利要求3所述的MOS管驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第六电阻、第七电阻,所述光电耦合器的阳极与所述第六电阻的一端连接,所述第六电阻的另一端与控制信号输入端连接,所述光电耦合器的集电极与所述第七电阻的一端连接,所述第七电阻的另一端与所述第一电源连接。

5.如权利要求4所述的MOS管驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第一稳压二极管和第二稳压二极管,所述第一稳压二极管的阴极与所述目标NMOS管的栅极连接,所述第一稳压二极管的阳极与所述第二稳压二极管的阳极连接,所述第二稳压二极管的阴极与所述第一电源连接。

6.如权利要求5所述的MOS管驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管,所述第一二极管的阴极与所述第二电源连接,所述第一二极管的阳极与所述NMOS管的栅极,所述第二二极管的阴极与所述PMOS管的栅极连接,所述第二二极管的阳极接地,所述第三二极管的阴极与所述NMOS管的漏极连接,所述第三二极管的阳极与所述NMOS管的源极连接,所述第四二极管的阴极与所述PMOS管的源极连接,所述第四二极管的阳极与所述PMOS管的漏极连接。

7.如权利要求1所述的MOS管驱动电路,其特征在于,所述电平驱动器包括两输入与非门电路,所述两输入与非门电路的第一输入端与所述光电耦合器的集电极,所述两输入与非门电路的第二输入端与所述第一电源连接,所述两输入与非门电路的输出端分别与所述NMOS管的栅极以及所述PMOS管的栅极连接。

8.如权利要求7所述的MOS管驱动电路,其特征在于,所述电平驱动器还包括第一供电输入端、第二供电输入端,所述第一供电输入端与所述第一电源连接,所述第二供电输入端与所述第二电源连接。

9.如权利要求1-8中任一项所述的MOS管驱动电路,其特征在于,所述第一电源的直流电压值为5V,所述第二电源的直流电压值为20V。

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