[发明专利]具有高频低温度系数低损耗MnZn软磁铁氧体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高频低温度系数低损耗MnZn软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)一次配料

称取主成分，主成分组成如下：Fe₂O₃：68wt％～72wt％、ZnO：5wt％～9wt％、MnO：余量；

(2)一次球磨

将主成分均匀混合，将所称取的主成分放入球磨机，球磨3～10h，得到一次球磨粉料；

(3)一次烧结

将第一次球磨所得的粉料在空气气氛下以200～300℃/h的速度升温到800～1000℃，保温1～3h，随炉冷却得到一次烧结粉料；

(4)二次配料

在一次烧结粉料中添加下述三类副成分，其中，第一类副成分包括SiO₂、CaO、CaCO₃、Li₂O、Al₂O₃中的一种或多种，第二类副成分包括V₂O₅、CuO、TiO₂、Bi₂O₃、WO₃、Nb₂O₅、MoO₃中的一种或多种，第三类副成分包括SnO₂、CoO、Co₃O₄、Co₂O₃，ZrO₂、In₂O₃、Ta₂O₅中的一种或多种，三类副成分的添加总量不超过一次烧结粉料的3wt％；按主成分总重量计，三类副成分中各成分被选择添加时的添加量如下：

第一类副成分：SiO₂：500～2000ppm，CaO：1000～4000ppm，CaCO₃：1500～5000ppm，Li₂O：500～1000ppm，Al₂O₃：1000～2000ppm，

第二类副成分：V₂O₅：500～1500ppm，CuO：500～2000ppm，TiO₂：500～2500ppm，Bi₂O₃：500～3500ppm，WO₃：400～1000ppm，Nb₂O₅：2000～4000ppm，MoO₃：400～1000ppm，

第三类副成分：SnO₂：500～1500ppm，CoO：400～1200ppm，Co₃O₄：400～1200ppm，Co₂O₃：400～1500ppm，ZrO₂：200～500ppm，In₂O₃：500～2000ppm，Ta₂O₅：200～1000ppm；

(5)二次球磨

将二次配料后得到的粉料均匀混合后放入球磨机，球磨3～10h，得到二次球磨粉料；

(6)造粒

根据二次球磨后的粉料总重量，加入聚乙烯醇水溶液，其中聚乙烯醇的加入量为粉料总质量的3wt％～10wt％，先预压之后研磨过筛成颗粒；

(7)压制成型

向造粒所得的颗粒料中添加聚乙烯醇水溶液，其中聚乙烯醇的加入量为颗粒料总质量的3wt％～10wt％，压制成型为生坯产品，生坯密度要达到2.6～3.6g/cm³；

(8)二次烧结

烧结温度为1200～1400℃，保温2～14h，烧结过程中通过添加氮气使平衡氧分压控制在4％以下，冷却出炉得到MnZn软磁铁氧体材料。

2.一种如权利要求1所述方法制备得到的具有高频低温度系数低损耗MnZn软磁铁氧体材料，其特征在于所述的MnZn软磁铁氧体材料形成了无畴壁结构，在100℃，1MHz，50mT的工作条件下，功率损耗低于150kWm^-3，在100℃，3MHz，10mT的工作条件下，功率损耗低于150kWm^-3，在100℃，3MHz，30mT工作条件下，功率损耗低于500kWm^-3，在100℃，5MHz，10mT的工作条件下，功率损耗低于500kWm^-3，初始磁导率高于500，在工作温度范围内，功率损耗随温度变化不超过50％，磁导率随温度的变化不超过20％。