[发明专利]高压元件

说明书

本发明涉及一种高压元件，包含：一作用层，形成于一基板上，具有一作用层表面；一体区与一阱区，形成于作用层中并连接于作用层表面下方，于两区连接处形成一PN结；一栅极，形成于作用层表面上；一源极与一漏极，源极形成于体区上的作用层中，漏极形成于阱区上的作用层中；一假性栅极，形成于作用层表面上，且介于栅极与漏极之间；一第一隔绝保护氧化层，形成于栅极、阱区、以及假性栅极之上；一第一导体层，形成于第一隔绝保护氧化层上；一第二隔绝保护氧化层，形成于假性栅极以及阱区之上，且不与第一隔绝保护氧化层相连；以及一第二导体层，形成于第二隔绝保护氧化层上。

技术领域

本发明涉及一种高压元件，特别涉及通过位于栅极与漏极间的一假性栅极、以及彼此不相连的两组隔绝保护氧化(Resist Protection Oxide)层与导体层，以降低击穿发生可能性的高压元件。

背景技术

参照图1，其中显示根据现有技术的高压元件10，其包含：一基板11；一作用层12，形成于基板11上，其中包含一体区13、与一阱区14；一栅极G，形成于作用层12的表面上；一源极S，形成于体区13上的作用层12中；一漏极D，形成于阱区14上的作用层12中，且于纵向上，堆叠并连接于阱区14与作用层表面121之间；一隔绝保护氧化(Resist ProtectionOxide)层RPO，为一连续结构，形成于栅极G的一部分以及阱区14的一部分上，并延伸至邻接于漏极D；一硅导体层Ls，形成于隔绝保护氧化层RPO上，于基板11的出平面方向上，硅导体层Ls具有与隔绝保护氧化层RPO相同的投影面积。

参照图2，其中显示高压元件10于操作于不导通的状况时于作用层12的电场分布曲线C1。根据电场分布曲线C1，其中出现局部过高电场的情形。因此局部过高电场的影响，高压元件10易出现击穿，进而限制高压元件的电压工作范围。图2中纵坐标与横坐标的数值，为举例说明，仅为显示现有技术中局部过高电场的现象。

以下通过具体实施例详加说明，能够更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种高压元件，可使得该高压元件耐击穿，提高高压元件的电压工作范围。

为了实现上述目的，就其中一个观点言，本发明提供了一种高压元件，其包含：一基板，于一纵向上，具有一上表面；一作用层，形成于基板上，于纵向上，具有相对上表面的一作用层表面，且作用层堆叠并连接于上表面上；一体区，具有一第一导电型，形成于作用层中，且于纵向上，连接于作用层表面下方；一阱区，具有一第二导电型，形成于作用层中，且于纵向上，连接于作用层表面下方，且于一横向上，与体区连接，且体区与阱区形成一PN结；一栅极，形成于作用层表面上，于纵向上，栅极堆叠并连接于作用层表面上，且PN结位于栅极正下方；一源极，具有第二导电型，形成于体区上的作用层中，且于纵向上，堆叠并连接于体区与作用层表面之间；一漏极，具有第二导电型，形成于阱区上的作用层中，且于纵向上，堆叠并连接于阱区与作用层表面之间；一假性栅极，形成于作用层表面上，且于横向上，假性栅极介于栅极与漏极之间；一第一隔绝保护氧化层，具有一第一相连层结构，第一相连层结构形成于栅极的一部分、阱区的一部分、以及假性栅极的一部分上，其中位于阱区的一部分上的第一相连层结构，为介于栅极与假性栅极之间；一第一导体层，形成于第一隔绝保护氧化层上；一第二隔绝保护氧化层，具有一第二相连层结构，第二相连层结构形成于假性栅极的一部分以及阱区的一部分上，第二隔绝保护氧化层不与第一隔绝保护氧化层相连，其中于阱区的一部分上的第二相连层结构，介于假性栅极与漏极之间；以及一第二导体层，形成于第二隔绝保护氧化层上，第二导体层不连接于第一导体层。

一实施例中，第一导体层与栅极电气连接。

一实施例中，该假性栅极，通过与形成栅极的工艺来同步制作；或该第二隔绝保护氧化层，通过与形成第一隔绝保护氧化层的工艺来同步制作；或该第二导体层通过与形成第一导体层的工艺来同步制作。