[发明专利]一种基于调节有源负载的低失调运算放大器在审
申请号: | 201710453918.5 | 申请日: | 2017-06-15 |
公开(公告)号: | CN107346960A | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 王红义;朱奥麟;徐延超;周罡;曹灿 | 申请(专利权)人: | 西安华泰半导体科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/34 | 分类号: | H03F1/34;H03F3/45;H03G1/00;H03G3/30 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710065 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 调节 有源 负载 失调 运算放大器 | ||
一种基于调节有源负载的低失调运算放大器,包括运算放大器模块、比较器模块、逻辑控制单元和四位逐次逼近寄存器;比较器模块同相输入端接运算放大器模块的检测电压Vdec,反相输入端接VDD/2;逻辑控制单元的输入端接比较器模块的输出端;四位逐次逼近比较寄存器连接逻辑控制单元的输出端,四位逐次逼近比较寄存器的输出端口为a0、a1、a2和a3四个端口,用来调整串联在有源负载一边的晶体管的数目。本发明运放的设计增加了检测级,避免在校正失调时,输出端电平不确定的跳变,影响用户使用。
技术领域
本发明属于CMOS工艺集成电路领域,具体涉及一种基于调节有源负载的低失调运算放大器。
背景技术
因为集成电路制造工艺中每一道工序的不确定性,所制备的运算放大器不可避免的存在着失调电压的问题。采用双极性晶体管工艺设计的运算放大器,其失调电压都能够达到较为理想的效果,但双极性晶体管器件的功耗大、成本高,因此很少采用。当今主流的生产工艺为CMOS工艺,具有低成本、低功耗、高集成度的特点。但基于CMOS工艺所设计的运算放大器,其运放失调的经典值为10mV左右,在很多应用场合中都无法被容忍。运算放大器的失调电压有两个分量:一个是系统失调,这是由于电路中器件尺寸设置不合理或偏置条件导致的失调;另一个是随机失调电压,这是制造工艺不可避免的随机误差导致的失调。为了得到更好的匹配性来降低放大器的随机失调,低失调的运算放大器通常使用大尺寸的输入管和大尺寸的有源负载,但带来了额外的电容并且需要消耗非常大的面积。
本发明提出了一种新颖的CMOS运算放大器失调校正技术,以调整有源负载的沟道长度的方式来提高其对称性,有效的解决了运算放大器的失调问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于调节有源负载的低失调运算放大器,解决运算放大器失调的问题。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种基于调节有源负载的低失调运算放大器,包括运算放大器模块、比较器模块、逻辑控制单元和四位逐次逼近寄存器;比较器模块同相输入端接运算放大器模块的检测电压Vdec,反相输入端接VDD/2;逻辑控制单元的输入端接比较器模块的输出端;四位逐次逼近比较寄存器连接逻辑控制单元的输出端,四位逐次逼近比较寄存器的输出端口为a0、a1、a2和a3四个端口,用来调整串联在有源负载一边的晶体管的数目。
进一步的,运算放大器模块分为三个部分:增益级、检测级和输出级;
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