[发明专利]半导体装置及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

神经元电路，所述神经元电路包括差分放大器、选择电路和单位增益缓冲器，

其中，所述差分放大器具有通过以下算式(1)使用输入信号X近似输出信号f_H(X)的性质：

在算式(1)中，θ_N表示阈值电压，α_H为给定的常数，

所述选择电路接收所述差分放大器的信号，

所述单位增益缓冲器接收所述选择电路的信号，

并且所述神经元电路包括第一选择电路，所述第一选择电路构成为选择所述神经元电路是用作输入神经元电路还是用作隐藏神经元电路。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一模块和第二模块，

其中，所述第一模块包括所述神经元电路和第一突触电路，

所述第二模块包括第二突触电路，

所述神经元电路构成为当所述神经元电路用作所述输入神经元电路时将第一信号输出到所述第一模块中的所述第一突触电路，

并且所述神经元电路构成为当所述神经元电路用作所述隐藏神经元电路时将所述第一信号从电流转换为电压、并将所述第一信号输出到所述第二模块中的第二突触电路。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中，所述第一突触电路和所述第二突触电路中的每一个包括模拟存储器，

所述模拟存储器包括晶体管，所述晶体管在沟道形成区中包含氧化物半导体，

并且所述氧化物半导体包括铟、镓和锌。