[发明专利]体声波谐振器及其制造方法

说明书

本申请要求于2016年8月11日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0102565号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。

技术领域

下面的描述涉及一种体声波滤波器装置和制造体声波滤波器装置的方法。

背景技术

近来，随着通信技术的快速发展，已经需要用于在通信装置中使用的射频(RF)组件技术以及信号处理技术的进一步发展。

尤其是，随着朝向无线通信装置的小型化的趋势，也已经需要RF组件的小型化技术。例如，通过利用半导体薄膜晶圆制造技术来制造体声波(BAW)谐振器类型的滤波器已经实现了滤波器的小型化。

BAW谐振器是包括沉积在诸如硅晶圆的半导体基板上的压电介电材料的薄膜类型元件。BAW谐振器利用压电介电材料的压电特性来产生谐振，并且可实现为滤波器。

BAW谐振器可用在诸如移动通信装置、化学装置或生物装置的小且轻的滤波器、振荡器、谐振元件或声共振质量传感器的应用中。

已经研究了用于增强BAW谐振器的特性的各种结构形状和功能。尤其是，已经进行了用于减小由于温度变化而导致的装置特性变化的结构和技术的研究。

发明内容

提供本发明内容在于以简化形式介绍以下在具体实施方式中进一步描述的选择的构思。本发明内容不意图限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，本发明内容也不意图用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面，一种体声波滤波器装置包括：基板；腔体形成层，设置在所述基板上，以形成腔体；下电极，设置在所述腔体上；压电层，设置在所述下电极上；上电极，设置在所述压电层上；及温度补偿层，设置在所述下电极的下面并且设置在所述腔体中。

所述温度补偿层可包括：第一温度补偿层，设置在所述腔体中；第二温度补偿层，设置在所述下电极之下。

所述第一温度补偿层可包含钌(Ru)或钼(Mo)。

所述腔体形成层可包括：第一牺牲层，设置在第一氧化物层上，所述第一氧化物层设置在所述基板上；第二氧化物层，设置在所述第一牺牲层上；及第二牺牲层，设置在所述第二氧化物层上。

所述腔体可包括：第一腔体部，设置在所述第一牺牲层的中部处；第二腔体部，设置在所述第二牺牲层的中部处。所述第一腔体部和所述第二腔体部可通过所述第二氧化物层划分。

所述第一腔体部可与所述第二腔体部连通。

所述温度补偿层可设置在所述第一腔体部上。

所述第一牺牲层可包括第一保护壁，所述第一保护壁设置在所述第一腔体部的边缘处并且包含氧化物，所述第二牺牲层可包括第二保护壁，所述第二保护壁设置在所述第二腔体部的边缘处并且包含氧化物。

所述上电极可包括：框架层，设置在所述压电层上；电极层，覆盖所述压电层和所述框架层。

所述体声波滤波器装置还可包括保护层，所述保护层使所述上电极的一部分和所述下电极的一部分暴露。

所述体声波滤波器装置还可包括电极垫，所述电极垫设置在所述上电极和所述下电极的通过所述保护层暴露的所述一部分处。

所述腔体形成层可层压在所述基板上。

在另一总的方面，一种制造体声波滤波器装置的方法包括：在基板的第一氧化物层上形成包括第一保护壁的第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成包括第二保护壁的第二牺牲层；去除所述第二牺牲层的中部和所述第二氧化物层的中部；在所述第一牺牲层的去除了所述第二牺牲层的中部和所述第二氧化物层的中部的部分上形成第一温度补偿层；及在所述第一温度补偿层上形成第二温度补偿层。

所述方法还可包括：在所述第二温度补偿层上形成下电极；形成压电层，以使所述压电层设置在所述第二温度补偿层和所述下电极上；及形成上电极，以使所述上电极设置在所述压电层上。

所述方法还可包括：在形成所述下电极、形成所述压电层和形成所述上电极之前，使所述第一温度补偿层和所述第二温度补偿层平坦化，以形成平坦表面。形成所述下电极还可包括在所述平坦表面上形成所述下电极。形成所述压电层还可包括在所述平坦表面上形成所述压电层。

所述方法还可包括：去除所述上电极的边缘部和所述压电层的边缘部；在所述第二牺牲层、所述下电极、所述压电层和所述上电极上设置保护层；通过去除所述保护层的一部分使所述上电极的一部分和所述下电极的一部分向外暴露；及在通过去除所述保护层的所述一部分而向外暴露的所述上电极的所述一部分上以及所述下电极的所述一部分上形成电极垫。