[发明专利]鳍式场效晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效晶体管的制造方法，其特征在于，包含：

形成一鳍片结构，其中该鳍片结构包括一通道区，且该通道区设置在一源极区及一漏极区之间；

形成一栅极结构在该鳍片结构的该通道区上；

形成一固相扩散层在该鳍片结构的该源极区的一最顶面及该漏极区的一最顶面上；以及

在形成该固相扩散层之后，进行一微波退火制程，以自该固相扩散层扩散一掺质至该鳍片结构中，而使一掺杂特征形成在该鳍片结构的该源极区及该漏极区内，其中该源极区及该漏极区还包括多个侧壁表面，且其中该固相扩散层设置在该些侧壁表面上，以使该掺质横向地及垂直地扩散至该源极区及该漏极区中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含调整该微波退火制程，以使该掺质是根据一盒形掺质曲线自该固相扩散层扩散至该源极区及该漏极区中。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该微波退火制程是在范围实质为500℃至750℃的温度及8千瓦至18千瓦的功率下，进行150秒至300秒的时间。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该掺杂特征内的任意两位置的掺杂浓度为彼此的±5％内。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，无轻掺杂源极及漏极特征形成在该鳍片结构的该源极区及该漏极区中。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该固相扩散层包括磊晶成长一半导体材料在该鳍片结构的该源极区及该漏极区上，其中该半导体材料是原位掺杂的。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含在形成该固相扩散层之前，形成多个间隙壁相邻于该栅极结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含以一金属栅极取代该栅极结构的一虚拟栅极。

9.一种鳍式场效晶体管的制造方法，其特征在于，包含：

形成一鳍片结构在一基材上；

形成一固相扩散源极/漏极特征在该鳍片结构的一源极/漏极区上，其中形成该固相扩散源极/漏极特征在该鳍片结构的该源极/漏极区上包括形成一第一固相扩散源极/漏极特征在一第一源极/漏极区的一最顶面上及在该第一源极/漏极区的多个侧壁表面上；以及

在形成该固相扩散源极/漏极特征之后，在该固相扩散源极/漏极特征上进行一微波退火制程，以自该固相扩散源极/漏极特征扩散一掺质至该鳍片结构的该源极/漏极区中，其中该微波退火制程使该掺质自该第一固相扩散源极/漏极特征横向地及垂直地扩散至该第一源极/漏极区中。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包含形成一栅极结构在该鳍片结构的一通道区上，以使该栅极结构包覆该鳍片结构的该通道区。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该栅极结构包含一虚拟栅极，且该方法还包含在进行该微波退火制程之后，以一金属栅极取代该虚拟栅极。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成该固相扩散源极/漏极特征包括进行一选择性磊晶成长制程，以成长一半导体材料在该鳍片结构的该源极/漏极区上。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成该固相扩散源极/漏极特征还包含在该选择性磊晶成长制程时原位掺杂该半导体材料。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该固相扩散源极/漏极特征包括磷掺杂的硅，且该微波退火制程导致该磷扩散至该鳍片结构的该源极/漏极区中。

15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该固相扩散源极/漏极特征包括硼掺杂的硅锗，且该微波退火制程导致该硼扩散至该鳍片结构的该源极/漏极区中。