[发明专利]一种增大离子注入束流的离子发射装置及方法

权利要求书

1.一种增大离子注入束流的离子发射装置，其特征在于，包括离子源、第一吸极、储存磁场和磁性分析部件，所述第一吸极设置在离子源的出口方向，所述储存磁场与所述第一吸极的出口偏转一定的角度，该角度使得经过第一吸极的离子进入储存磁场中做圆周运动，所述磁性分析部件用于对储存磁场中的离子进行检测分离；所述离子源电离的离子经过第一吸极引出，被第一吸极引出的离子进入储存磁场中做圆周运动，所述储存磁场设置可打开的缺口，当储存磁场中的离子数量达到规定值时，所述储存磁场打开缺口，将储存磁场中的离子释放至所述磁性分析部件中。

2.根据权利要求1所述的一种增大离子注入束流的离子发射装置，其特征在于，所述磁性分析部件设置在所述缺口的切线方向上；当储存磁场中的离子数量达到规定值时，所述储存磁场打开缺口，储存磁场中的离子沿着缺口的切线运动至所述磁性分析部件。

3.根据权利要求1所述的一种增大离子注入束流的离子发射装置，其特征在于，还包括偏转磁场，所述偏转磁场连接储存磁场的缺口和磁性分析部件；当储存磁场中的离子数量达到规定值时，所述储存磁场打开缺口，从储存磁场出来的离子经过偏转磁场进入所述磁性分析部件。

4.根据权利要求2或3所述的一种增大离子注入束流的离子发射装置，其特征在于，所述缺口为储存磁场的1/8部分。

5.根据权利要求1所述的一种增大离子注入束流的离子发射装置，其特征在于，所述储存磁场为环形磁场。

6.根据权利要求1所述的一种增大离子注入束流的离子发射装置，其特征在于，所述储存磁场通过增加线圈的方式设置。

7.根据权利要求1所述的一种增大离子注入束流的离子发射装置，其特征在于，所述第一吸极为电场驱动。

8.根据权利要求7所述的一种增大离子注入束流的离子发射装置，其特征在于，产生电场的电压为直流电压。

9.一种采用权利要求1所述的装置增大离子注入束流的方法，步骤如下：

S01：打开第一吸极，使得离子源电离的离子被第一吸极引出；

S02：被第一吸极引出的离子进入所述储存磁场中做圆周运动；

S03：重复步骤S01-S02，直到储存磁场中的离子数量达到规定值；

S04：将储存磁场中的离子引出到磁性分析部件中进行检测分离。