[发明专利]与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管

说明书

本发明涉及与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管。实施例提供一种用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括：提供具有沟槽隔离的半导体衬底，其中通过制造沟槽隔离而获得的衬垫被布置在半导体衬底上；在半导体衬底和衬垫上提供隔离层，以使得衬垫被隔离层覆盖；去除隔离层直至衬垫；以及选择性地去除衬垫，以获得发射极窗口。

技术领域

实施例涉及一种用于制造双极结型晶体管的方法。另外的实施例涉及一种用于制造与扩散区域完全自对准的双极结型晶体管(例如，HBT(异质结双极晶体管))的方法，所述双极结型晶体管具有强烈最小化的衬底寄生效应和选择性预构造的外延基极链(baselink)。

背景技术

HBT晶体管被用在需要高开关频率的许多应用(诸如，汽车RADAR(无线电检测和测距)中的信号发生器或类似的微波应用)中。为了提高品质因数最大开关频率(fmax)，重要的是减小寄生电阻和电容的量以及使晶体管的基极宽度保持在可能的最小值。同时，应该保持低的制造成本。

发明内容

实施例提供一种用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括：

-提供具有沟槽隔离的半导体衬底，其中通过制造沟槽隔离而获得的衬垫被布置在半导体衬底上；

-在半导体衬底和衬垫上提供隔离层，以使得衬垫被隔离层覆盖；

-去除隔离层直至衬垫；以及

-选择性地去除衬垫，以获得发射极窗口。

附图说明

图1示出根据实施例的用于制造双极结型晶体管的方法的流程图；

图2示出在提供半导体衬底的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图3示出在半导体衬底和衬垫上提供隔离层以使得衬垫被隔离层覆盖的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图4示出在去除隔离层直至衬垫以使得露出衬垫的表面的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图5示出在选择性地去除衬垫以获得发射极窗口的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图6示出在发射极窗口的侧壁上提供侧向间隔物的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图7示出在去除发射极窗口中的氧化物层以使得在发射极窗口中露出半导体衬底并且在半导体衬底上在发射极窗口中提供基极层的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图8示出在第一隔离层和基极层上提供第二隔离层以使得基极层和侧向间隔物被第二隔离层覆盖的步骤之后以及在由第二隔离层覆盖的发射极窗口的侧壁上在发射极窗口内提供另外的侧向间隔物之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图9示出在选择性地去除所述另外的侧向间隔物以使得在发射极窗口内露出由所述另外的侧向间隔物覆盖的第二隔离层的L形部分的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图10示出在第一隔离层上并且在发射极窗口中提供发射极层以使得发射极层覆盖基极层的露出部分和第二隔离层的L形部分的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图11示出在发射极层上提供牺牲层并且在牺牲层上提供构造的掩模层的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图12示出在去除未被构造的掩模层覆盖的所有层直至种子层的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；

图13示出在选择性地去除侧向间隔物以使得沿侧向露出基极层并且在种子层和基极层之间形成部分地露出氧化物层的腔的步骤之后的在制造期间的双极结型晶体管的示意性剖视图；