[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，包括：

n型晶硅衬底层；

轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层形成在所述n型晶硅衬底层的上、下两侧表面上；

重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层形成在一侧所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；

重掺杂n型氢化非晶硅背场层，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层形成在另一侧所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；

透明导电氧化物层，所述透明导电氧化物层形成在所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层和所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的表面上；

金属栅线电极层，所述金属栅线电极层包括：

合金过渡层，所述合金过渡层形成在所述透明导电氧化物层、所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层和所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；

含铜导电合金层，所述含铜导电合金层形成在所述合金过渡层的表面上。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度为10⁸-10¹⁷/cm³。

3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，

所述合金过渡层含有选自Cu、Mo、W、Ti、Ni、Cr、Al、Mg、Ta、Sn、Zn和Ag中的至少两种金属，

任选地，所述含铜导电合金层含有Cu和选自Mo、W、Ti、Ni、Cr、Al、Mg、Ta、Sn、Zn和Ag中的至少一种金属。

4.根据权利要求3所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述合金过渡层进一步含有选自B、P、Ga和In中的至少一种元素，

任选地，所述含铜导电合金层进一步含有选自B、P、Ga和In中的至少一种元素。

5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述含铜导电合金层的铜含量由近所述合金过渡层端到远所述合金过渡层端呈梯度递增，且近所述合金过渡层端的铜含量为85％-99％wt，远所述合金过渡层端的铜含量为99％-100％wt。

6.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述金属栅线电极层的电阻率不大于1.5×10^-5Ω·cm。

7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述n型晶硅衬底层的厚度为50-200μm，

任选地，所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的厚度为1-15nm，

任选地，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的厚度为5-25nm，

任选地，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的厚度为5-25nm，

任选地，所述透明导电氧化物层的厚度为50-300nm，

任选地，所述合金过渡层的厚度为5-300nm，

任选地，所述含铜导电合金层的厚度为1-100μm。

8.一种制备权利要求1-7任一项所述的硅异质结太阳电池的方法，其特征在于，包括：

提供n型晶硅衬底层；

在所述n型晶硅衬底层的上、下两侧表面上形成轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层；

在一侧所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上形成重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；

在另一侧所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上形成重掺杂n型氢化非晶硅背场层；

在所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层和所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的表面上分别形成透明导电氧化物层；以及

在所述透明导电氧化物层、所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层和所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上形成金属栅线电极层，其中，所述金属栅线电极层含有合金过渡层和含铜导电合金层。