[发明专利]成膜方法和TFT的制造方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，包括：

搬入步骤，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中，Cu部为由含Cu的材料形成的构造物；

第一供给步骤，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体；

第一成膜步骤，利用供给到所述处理容器内的、含有所述第一气体、所述第二气体和所述第三气体的混合气体的等离子体，在所述Cu部上形成保护膜；

第二供给步骤，向所述处理容器内供给氯化硅气体或氟化硅气体或者它们的混合气体、和不包含氢原子的含氧气体或者含氮气体；和

第二成膜步骤，利用供给到所述处理容器内的、所述氯化硅气体或所述氟化硅气体或者它们的混合气体和含有所述含氧气体或者所述含氮气体的混合气体的等离子体，在所述保护膜上形成氧化硅膜或者氮化硅膜，

所述第一气体为含卤素原子的硅系气体，

所述第二气体为O₂气体、N₂O气体、N₂气体或者稀有气体，

所述第三气体为H₂O气体或者SiH₄气体，

所述保护膜的氟含量比所述氧化硅膜或者所述氮化硅膜的氟含量低。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一气体为SiF₄气体，

所述第二气体为O₂气体，

所述第三气体为H₂O气体。

3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

所述保护膜为10nm以上50nm以下的范围内的厚度。

4.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

在所述基板上露出有氧化物半导体，

在所述第一成膜步骤中，在所述Cu部和所述氧化物半导体上形成所述保护膜。

5.如权利要求4所述的成膜方法，其特征在于：

所述氧化物半导体构成TFT的沟道。

6.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

在所述基板上露出的所述Cu部为TFT的源极电极、漏极电极和栅极电极中的至少一个。

7.一种TFT的制造方法，其特征在于，包括：

搬入步骤，向处理容器内搬入基板，所述基板配置有由含Cu的材料形成的源极电极和漏极电极，在所述源极电极和所述漏极电极和之间配置有氧化物半导体，所述源极电极、所述漏极电极和所述氧化物半导体露出；

供给步骤，向所述处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体；

成膜步骤，利用供给到所述处理容器内的、含有所述第一气体、所述第二气体和所述第三气体的混合气体的等离子体，在所述源极电极、所述漏极电极和所述氧化物半导体上形成保护膜；

第二供给步骤，向所述处理容器内供给氯化硅气体或氟化硅气体或者它们的混合气体、和不包含氢原子的含氧气体或者含氮气体；和

第二成膜步骤，利用供给到所述处理容器内的、所述氯化硅气体或所述氟化硅气体或者它们的混合气体和含有所述含氧气体或者所述含氮气体的混合气体的等离子体，在所述保护膜上形成氧化硅膜或者氮化硅膜，

所述第一气体为含卤素原子的硅系气体，

所述第二气体为O₂气体、N₂O气体、N₂气体或者稀有气体，

所述第三气体为H₂O气体或者SiH₄气体，

所述保护膜的氟含量比所述氧化硅膜或者所述氮化硅膜的氟含量低。