[发明专利]一种石墨烯辅助型的D型超细光纤结构

权利要求书

1.一种石墨烯辅助型的D型超细光纤结构，包括纤芯(1)和纤芯包覆层(2)，其特征在于，所述纤芯(1)包括直接暴露在空气中的暴露段(11)和被纤芯包覆层(2)包覆的非暴露段(12)；暴露段(11)下方设有支撑机构(3)；暴露段(11)的中段抛光形成D型光纤段(111)，D型光纤段(111)的抛光面上设有与其接触的石墨烯层(4)，石墨烯层(4)的宽度大于纤芯(1)的直径，石墨烯层(4)在纤芯(1)轴向两侧的两端分别设有与石墨烯(4)接触的第一电极(51)第二电极(52)。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯辅助型的D型超细光纤结构，其特征在于，所述支撑机构(3)为U型凹槽，U形凹槽分为凹陷部(31)和凸起部(32)，所述暴露段(11)位于凹陷部(31)中，石墨烯层(4)在纤芯(1)轴向两侧的两端由凸起部(32)支撑。

3.根据权利要求2所述的一种石墨烯辅助型的D型超细光纤结构，其特征在于，还包括基底层(6)，基底层(6)的长度大于所述暴露段(11)的长度，整个所述U型凹槽位于基底层(6)上，所述基底层(6)的轴向两端的上方设有第一支柱(71)和第二支柱(72)，所述暴露段(11)与所述非暴露段(12)的两个连接处分别由第一支柱(71)和第二支柱(72)支撑。

4.根据权利要求1所述的一中石墨烯辅助型的D型超细光纤结构，其特征在于，所述第一电极(51)和第二电极(52)设置在石墨烯层(4)的上方。

5.根据权利要求1所述的一种石墨烯辅助型的D型超细光纤结构，其特征在于，所述纤芯(111)的直径为1～5μm。

6.根据权利要求1所述的一种石墨烯辅助型的D型超细光纤结构，其特征在于，所述说石墨烯层(4)为厚度为0.34nm的单层石墨烯。

7.根据权利要求3所述的一种石墨烯辅助型的D型超细光纤结构，其特征在于，所述基底层(6)材料为P型硅，所述U型凹槽材料为硅氧化物、硅氮氧化物或硼氮化物，所述第一支柱(71)和第二支柱(72)的材料为紫外固化胶。

8.根据权利要求1所述的一种石墨烯辅助型的D型超细光纤结构，其特征在于，所述第一电极(51)或第二电极(52)的材质为金、银、铜、铂、钛、镍、钴、钯中的任意一种或几种。