[发明专利]一种异质结太阳能电池电极的制作方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于，包括：

提供正、背面已沉积铜种子层的硅片；

在所述硅片的正、背面沉积牺牲层；

在所述硅片正、背面的牺牲层上形成光阻层；

通过曝光和显影在硅片正、背面的牺牲层上形成栅线图案；

通过酸性溶液预处理，去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层；

在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极；

通过碱性溶液，去除硅片正、背面的的光阻层和牺牲层；

通过金属蚀刻溶液，去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层。

2.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于：所述铜种子层为Cu、TiN、NiCu中的至少一种，其厚度为5-300nm，所述铜种子层通过PVD溅射沉积。

3.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于：所述牺牲层为两性金属或两性金属氧化物，所述两性金属或两性金属氧化物为Zn、Al、ZnO或AZO，其厚度为5-100nm，所述牺牲层通过PVD溅射沉积。

4.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于：所述光阻层通过铺设干膜、印刷光阻剂、涂布光阻剂或浸泡光阻剂形成。

5.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于：在所述硅片的正、背面沉积牺牲层之后，形成光阻层之前，还包括步骤对硅片进行烘烤、边缘绝缘处理。

6.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于：所述曝光的光源为紫外光源，波长范围为190-400nm。

7.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于：所述显影用的溶液为NA₂CO₃、K₂CO₃、NAHCO₃、KHCO₃溶液中的至少一种，酸性溶液为H₂SO₄、HCL、HNO₃、HF、磷酸、醋酸中的至少一种，所述碱性溶液为NAOH、KOH溶液中的至少一种，所述金属蚀刻液为碱性蚀刻或酸性蚀刻液。

8.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于：所述预处理方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，预处理时间为10-300S。

9.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于：所述铜栅线包含铜栅线层和铜栅线保护层，所述铜栅线保护层为锡层，所述铜栅线宽度为10-150um，厚度为5-50um。

10.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极的制作方法，其特征在于：所述光阻层及牺牲层去除方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，去除处理时间为30-300S。