[发明专利]基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器

权利要求书

1.基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器，包括基底层(1)，其特征在于，基底层(1)为凹槽型，光纤(2)放置在基底层(1)的凹槽中，光纤(2)的一段侧面被抛光形成凹槽抛光面，光纤(2)的凹槽抛光面包括光纤纤芯(21)抛光面和光纤包层(22)抛光面；在光纤的凹槽抛光面上依次设置有完全覆盖光纤纤芯(21)抛光面的第一隔离介质层(3)、氧化铟锡层(4)、第二隔离介质层(5)、金属铝层(6)，凹槽抛光面一端的氧化锡铟层(4)连接第一电极(7)，凹槽抛光面另一端的金属铝层(6)连接第二电极。

2.根据权利要求1所述的基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器，其特征在于，凹槽抛光面的第一隔离介质层(3)、氧化铟锡层(4)均延伸至基底层，延伸至基底层(1)上的氧化铟锡层(4)上设置第一电极(7)；凹槽抛光面另一端的第一隔离介质层(3)、氧化铟锡层(4)和金属铝层(6)延伸至基底层(1)，延伸至基底层(1)上的金属铝层(6)上设置第二电极(8)。

3.根据权利要求2所述的基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器，其特征在于，所述第一隔离介质层(3)、第二隔离介质层(5)均由绝缘材料制成。

4.根据权利要求3所述的基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器，其特征在于，所述绝缘材料为氧化铪。

5.根据权利要求1-3任一所述的基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器，其特征在于，所述第一隔离介质层(3)、第二隔离介质层(5)的厚度为5nm-100nm。

6.根据权利要求5所述的基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器，其特征在于，所属光纤(2)为普通光纤。

7.根据权利要求5所述的基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器，其特征在于，所述的第一电极(7)和第二电极(8)的材料为导电材料金、银、铂或铜之一。