[发明专利]用于图像识别的处理器在审
申请号: | 201710460366.0 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN107358254A | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 张国飙 | 申请(专利权)人: | 杭州海存信息技术有限公司 |
主分类号: | G06K9/62 | 分类号: | G06K9/62;G06F15/80 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 图像 识别 处理器 | ||
1.一种用于图像识别的处理器(200),其特征在于含有:
一传输至少一用户图像数据的输入总线(110);
一半导体衬底(0)及多个存储处理单元(100aa-100mn),所述多个存储处理单元与该输入总线(110)耦合,每个存储处理单元(100ij)含有至少一三维存储 (3D-M)阵列(170)和一模式处理电路(180),其中:
所述3D-M阵列(170)堆叠在该衬底(0)上方,该3D-M阵列(170)存储至少一图像模型;
所述模式处理电路(180)位于该衬底(0)中,该模式处理电路(180)根据该图像模型对该用户图像数据进行模式识别;
所述3D-M阵列(170)和所述模式处理电路(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)耦合。
2.根据权利要求1所述的处理器(200),其特征还在于:所述3D-M为三维可写存储元(3D-W)。
3.根据权利要求1所述的处理器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列是一三维一次编程存储器(3D-OTP)阵列。
4.根据权利要求1所述的处理器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列是一三维多次编程存储器(3D-MTP)阵列。
5.根据权利要求1所述的处理器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列是3D-XPoint、memristor、阻变存储器(RRAM)、相变存储器(PCM)、programmable metallization cell(PMC)、或conductive bridging random-access memory (CBRAM)。
6.根据权利要求1所述的处理器(200),其特征还在于:该3D-M阵列(170)覆盖至少部分所述模式处理电路(180)。
7.根据权利要求1所述的处理器(200),其特征还在于:所述模式处理电路(180)被至少两个3D-M阵列(170A, 170B)覆盖。
8.根据权利要求1所述的处理器(200),其特征还在于:所述模式处理电路(180)被至少四个3D-M阵列(170A-170D)覆盖。
9.根据权利要求1所述的处理器(200),其特征还在于:所述模式处理电路(180)被至少八个3D-M阵列(170A-170D、170W-170Z)覆盖。
10.根据权利要求1所述的处理器(200),其特征还在于:所述多个接触通道孔(1av, 3av)构成一大带宽电连接。
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