[发明专利]兼具图像识别功能的存储器在审

专利信息
申请号: 201710461242.4 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN109145683A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 张国飙 申请(专利权)人: 成都海存艾匹科技有限公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00;G06F16/9035;H01L27/112;H04L29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 模式处理电路 存储器 图像识别功能 存储处理单元 用户图像数据 存储用户 模式识别 三维存储 图像模型 图像数据 堆叠 存储
【权利要求书】:

1.一种兼具图像识别功能的存储器(200),其特征在于含有:

一传输至少一图像模型的输入总线(110);

一半导体衬底(0)及多个存储处理单元(100aa-100mn),所述多个存储处理单元与该输入总线(110)耦合,每个存储处理单元(100ij)含有至少一三维存储 (3D-M)阵列(170)和一模式处理电路(180),其中:

所述3D-M阵列(170)堆叠在该衬底(0)上方,该3D-M阵列(170)存储至少一用户图像数据;

所述模式处理电路(180)位于该衬底(0)中,该模式处理电路(180)根据该图像模型对该用户图像数据进行模式识别;

所述3D-M阵列(170)和所述模式处理电路(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)耦合。

2.根据权利要求1所述的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M为三维可写存储元(3D-W)。

3.根据权利要求1所述的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列是一三维一次编程存储器(3D-OTP)阵列。

4.根据权利要求1所述的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列是一三维多次编程存储器(3D-MTP)阵列。

5.根据权利要求1所述的存储器(200),其特征还在于:所述3D-M阵列是3D-XPoint、memristor、阻变存储器(RRAM)、相变存储器(PCM)、programmable metallization cell(PMC)、或conductive bridging random-access memory (CBRAM)。

6.根据权利要求1所述的存储器(200),其特征还在于:该3D-M阵列(170)覆盖至少部分所述模式处理电路(180)。

7.根据权利要求1所述的存储器(200),其特征还在于:所述模式处理电路(180)被至少两个3D-M阵列(170A, 170B)覆盖。

8.根据权利要求1所述的存储器(200),其特征还在于:所述模式处理电路(180)被至少四个3D-M阵列(170A-170D)覆盖。

9.根据权利要求1所述的存储器(200),其特征还在于:所述模式处理电路(180)被至少八个3D-M阵列(170A-170D、170W-170Z)覆盖。

10.根据权利要求1所述的存储器(200),其特征还在于:所述多个接触通道孔(1av,3av)构成一大带宽电连接。

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