[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，包括：

n型晶硅衬底层；

轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层形成在所述n型晶硅衬底层的上、下两侧表面上；

重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层形成在一侧所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；

重掺杂n型氢化非晶硅背场层，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层形成在另一侧所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；

透明导电氧化物层，所述透明导电氧化物层形成在所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层或所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的至少部分表面上；

合金栅线电极层，所述合金栅线电极层形成在所述透明导电氧化物层、所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层和所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及

电极保护层，所述电极保护层形成在所述合金栅线电极层的表面上。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度为10⁸-10¹⁷/cm³。

3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述合金栅线电极层包括：

合金过渡层，所述合金过渡层形成在所述透明导电氧化物层、所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层和所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及

含铜导电合金层，所述含铜导电合金层形成在所述合金过渡层的表面上。

4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述合金过渡层含有选自Cu、Mo、W、Ti、Ni、Cr、Al、Mg、Ta、Sn、Zn和Ag中的至少两种金属，

任选地，所述含铜导电合金层含有Cu和选自Mo、W、Ti、Ni、Cr、Al、Mg、Ta、Sn、Zn和Ag中的至少一种金属。

5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述电极保护层是由锡或锡合金形成的，

任选地，所述锡合金含有Sn和选自Cu、Ag、Zn、Bi和In中的至少一种元素，

任选地，所述电极保护层含有不低于50质量％的锡。

6.根据权利要求5所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述电极保护层进一步含有选自B、P、Ga和Al中的至少一种元素。

7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述衬底层的厚度为50-200μm，

任选地，所述氢化非晶硅缓冲层的厚度为1-15nm，

任选地，所述氢化非晶硅发射极层的厚度为5-25nm，

任选地，所述氢化非晶硅背场层的厚度为5-25nm，

任选地，所述透明导电氧化物层的厚度为50-300nm，

任选地，所述合金过渡层的厚度为5-300nm，

任选地，所述含铜导电合金层的厚度为1-100μm，

任选地，所述电极保护层的厚度为0.3-25μm。

8.一种制备权利要求1-7任一项所述的硅异质结太阳电池的方法，其特征在于，包括：

提供n型晶硅衬底层；

在所述n型晶硅衬底层的上、下两侧表面上形成轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层；

在一侧所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上形成重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；

在另一侧所述轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上形成重掺杂n型氢化非晶硅背场层；

在所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层和所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的表面上形成透明导电氧化物层；

在所述透明导电氧化物层、所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层和所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上形成合金栅线电极层；以及

在所述合金栅线电极层的表面上形成电极保护层。