[发明专利]一种激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法及其系统

权利要求书

1.一种基于激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤1、准备石墨烯微纳结构加工需要的基底材料；

步骤2、将石墨烯转移到基底材料上；

步骤3、蒸镀氧化物，获得氧化物-石墨烯-基底材料三明治结构样品；

步骤4、通过激光直写系统对氧化物-石墨烯-基底材料三明治结构样品进行加工，超过阈值光强的区域内石墨烯在激光诱导下和氧化物发生碳热还原反应而被破坏，其余部分的石墨烯则不会被破坏得以保留；

步骤5、对加工后样品进行后处理，去除残余氧化物，得到石墨烯微纳结构。

2.如权利要求1所述的激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法，其特征在于，碳热还原反应加工线条的分辨率从微米量级一直到几十纳米量级；石墨烯微纳结构的分辨率从微米量级一直到几十纳米量级。

3.如权利要求1所述的激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法，其特征在于，氧化物为可碳还原氧化物，氧化物的厚度为20nm～500nm。

4.如权利要求3所述的激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法，其特征在于，所述基底材料为碳化硅或硅；氧化物为二氧化硅、氧化铝、氧化锡。

5.如权利要求2所述的激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法，其特征在于，所述微纳结构加工基于石墨烯和氧化物发生的碳热还原反应。

6.如权利要求2所述的激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法，其特征在于，所述石墨烯为机械剥离石墨烯或化学气相沉积制备的石墨烯。

7.如权利要求2所述的激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法，其特征在于，所述蒸镀氧化物的方法为电子束蒸镀法、热蒸镀法或原子层沉积技术。

8.如权利要求1所述的激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法，其特征在于，所述微纳结构是一维结构或二维结构。

9.如权利要求4所述的激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法，其特征在于，所述碳化硅为4H型、6H型或3C型碳化硅。