[发明专利]一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法有效
申请号: | 201710461659.0 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107326385B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 车延科;刘阿楠;章宇超;宋文静;赵进才;马万红;陈春城;籍宏伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所;中国科学院大学 |
主分类号: | C25B1/04 | 分类号: | C25B1/04;C25B11/06;C23C18/12 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞;牛艳玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 二铁光 电极 制备 方法 | ||
本发明公开了一种硼掺杂的三氧化二铁光电极的制备方法,包含如下步骤:步骤(1):将三氯化铁、硝酸钠和去离子水混合,并将氟掺杂氧化锡(FTO)放入上述混合溶液中进行反应,得到表面沉积有β‑FeOOH的FTO;步骤(2):将步骤(1)的表面沉积有β‑FeOOH的FTO在硼砂溶液中浸泡后取出,在400‑800℃下煅烧,得到表面沉积了硼掺杂三氧化二铁的FTO。本发明方法简单,易于操作,成本低廉,形貌均一,所得产品光电性能远优于常规光电极,在催化、光电催化水氧化等领域有较好的应用前景。并且应用本方法制备得到的光电极光生电子和空穴分离效率高,具有良好的光电催化活性,其水氧化光电流可达1.05mA/cm2。
技术领域
本发明涉及光电催化技术领域,特别涉及一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法。
背景技术
基于光电催化技术的光分解水制氢,是一种具有应用前景的技术。在该技术中,半导体纳米材料光催化电极的微观形貌、载流子传输行为等直接影响着光电催化体系的效果。在众多的半导体光催化材料中,α相三氧化二铁(α-Fe2O3)纳米材料由于具有较窄的禁带宽度(2.0-2.2eV),因此对太阳光中的紫外光和可见光均具有良好的响应,同时具有稳定、储备丰富、环境友好和价格低廉等优点,被认为最具潜力的光电催化材料。
专利201410837873.8中涉及一种纳米α-Fe2O3薄膜的制备方法,包括:将FeSO4·7H2O水溶液中加入氨水作为电解液,电沉积后400-700℃热处理得到纳米α-Fe2O3薄膜。专利201410099658.2中涉及一种三氧化二铁纳米片的制备方法,包括将三价铁盐与乙二醇搅拌,加入氨水后进行水热反应,制得形貌均一的三氧化二铁纳米片。现有技术中,纳米棒状α-Fe2O3的制备方法是,将氟掺杂氧化锡(FTO)导电基底放在三价铁盐溶液中,通过水热法,在650℃高温下煅烧,最终制得直径为30nm,长度为300nm左右的纳米棒(ACSAppl.Mater.Interfaces,2014,6,12844-12851)。但制得的纳米棒光阳极光电催化水分解效率极低,光电流仅达到0.03mA cm-2。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种硼掺杂的三氧化二铁光电极的制备方法,包含如下步骤:
步骤(1):将三氯化铁、硝酸钠和去离子水混合,并将氟掺杂氧化锡(FTO)导电基底放入上述混合溶液中进行反应,得到表面沉积有β-FeOOH的FTO;
步骤(2):将步骤(1)的表面沉积有β-FeOOH的FTO在硼砂溶液中浸泡后取出,在400-800℃下煅烧,得到表面沉积了硼掺杂三氧化二铁的FTO。
根据本发明,所述硼掺杂的三氧化二铁光电极的宽度为25-70nm,例如为,30-50nm;长度为50-300nm,例如为,70-300nm;高度为100-250nm,例如为100-150nm。
根据本发明,上述步骤(1)中,在将所述FTO放入混合溶液之前还包括将FTO在丙酮,乙醇,去离子水中分别超声清洁的步骤。
根据本发明,上述步骤(1)中,反应温度为90-200℃,优选为95-100℃,反应时间为4-5小时,优选为,4.5小时。
根据本发明,上述步骤(1)中,三氯化铁和硝酸钠的摩尔比为0.15:0.1-1。
根据本发明,上述步骤(1)中,反应后用去离子水洗掉FTO表面多余的盐,所述去离子水的体积为50mL-200mL,例如为100mL。
根据本发明,上述步骤(2)中,所述硼砂溶液的浓度为0.005-1mol/L。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院化学研究所;中国科学院大学,未经中国科学院化学研究所;中国科学院大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710461659.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。