[发明专利]通过无焊剂焊接制造的半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

将第一半导体芯片放置在载体上，其中第一半导体芯片的第一主表面面向所述载体，其中软焊接材料的第一层提供在第一主表面和所述载体之间，并且在放置期间施加热量使得在软焊接材料的第一层处的温度等于或高于软焊接材料的第一层的熔融温度；

将包括第一接触区域的接触夹放置在第一半导体芯片上，其中第一接触区域面向第一半导体芯片的第二主表面，其中软焊接材料的第二层提供在第一接触区域和第二主表面之间，并且在放置期间施加热量使得软焊接材料的第二层处的温度等于或高于软焊接材料的第二层的熔融温度；以及其后

冷却软焊接材料的第一和第二层以固化软焊接材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

软焊接材料的第一和第二层不包含任何焊剂材料。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中

在提供软焊接材料的第一和第二层之后，未将焊剂材料添加到软焊接材料的第一和第二层中的任何一个。

4.根据权利要求1所述的方法，其中

软焊接材料的第一和第二层中的一个或多个包括低于400℃的熔点。

5.根据权利要求1所述的方法，其中

软焊接材料的第一和第二层中的一个或多个是铅基的或无铅的。

6.根据权利要求5所述的方法，其中

软焊接材料的第一和第二层中的一个或多个由Pb/Sn1/Ag1.5、Pb/Sn2/Ag2.5或Pb/Sn5组成。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：

将载体放置在气密指引隧道中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中

第一层的软焊接材料不同于第二层的软焊接材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中

第一半导体芯片是功率半导体芯片。

10.根据权利要求1所述的方法，其中

接触夹的第一接触区域和第一半导体芯片的第二主表面包括相同的金属材料。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面的第二半导体芯片；以及

将所述第二半导体芯片放置在所述接触夹上，其中软焊接材料层的第三层提供在所述第二半导体芯片和所述接触夹之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其中

第三层的软焊接材料与第一和第二层的软焊接材料相同，或者包括第一和第二层的软焊接材料的相似或相同的性质。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中

第二半导体芯片是功率半导体芯片。

14.根据权利要求1所述的方法，其中

软焊接材料的第一和第二层中的一个或多个包括低于350℃的熔点。

15.根据权利要求1所述的方法，其中

软焊接材料的第一和第二层中的一个或多个包括低于300℃的熔点。

16.根据权利要求1所述的方法，其中

软焊接材料的第一和第二层中的一个或多个包括低于250℃的熔点。

17.根据权利要求1所述的方法，其中

软焊接材料的第一和第二层中的一个或多个包括低于200℃的熔点。