[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201710463763.3 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109148682A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李岱萤;吴昭谊;林榆瑄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 顶电极 电阻转换 阻挡层 电阻式随机存取存储器 底电极 覆盖金属层 环绕金属层 金属层配置 金属层 配置 制造 | ||
1.一种电阻式随机存取存储器，包括：
一底电极；
一电阻转换层，配置于该底电极上；
一顶电极，配置于该电阻转换层上；
一金属层，配置于该顶电极上；以及
一阻挡层，覆盖该金属层，其中该阻挡层环绕该金属层及该顶电极。
2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，该阻挡层包括一氮氧化物材料。
3.根据权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其中，该氮氧化物材料是氮氧化硅(SiON)、氮氧化钛(TiON)或氮氧化钛硅(TiSiON)。
4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，该阻挡层的厚度是在50埃(angstrom)至1000埃的范围中。
5.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，还包括：
一基板，其中该底电极配置于该基板之上；
一介电层，配置于该基板上；以及
一导电连接结构，配置于该基板上且穿过该介电层，其中该介电层具有一顶表面，该阻挡层连续性地覆盖该顶表面及该金属层。
6.一种电阻式随机存取存储器的制造方法，包括：
形成一开口于一绝缘层中；
沉积一导电材料于该开口中；
移除位于该开口之上的该导电材料以形成一底电极；
形成一电阻转换层于该底电极上；
形成一顶电极于该电阻转换层上；
形成一金属层于该顶电极上；以及
形成一阻挡层覆盖该金属层，其中该阻挡层环绕该金属层及该顶电极。
7.根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器的制造方法，其中，该阻挡层包括一氮氧化物材料。
8.根据权利要求7所述的电阻式随机存取存储器的制造方法，其中，该氮氧化物材料是氮氧化硅(SiON)、氮氧化钛(TiON)或氮氧化钛硅(TiSiON)。
9.根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器的制造方法，其中，该阻挡层的厚度是在50埃(angstrom)至1000埃的范围中。
10.根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器的制造方法，还包括：
在形成该底电极之前形成一基板，其中该底电极形成于该基板之上；
形成一介电层于该基板上；以及
形成一导电连接结构于该基板上且穿过该介电层，其中该介电层具有一顶表面，该阻挡层连续性地覆盖该顶表面及该金属层。
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