[发明专利]一种金属钛掺杂类金刚石薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710463954.X | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107419228B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 朱得菊;吴德生;陈立 | 申请（专利权）人： | 信利光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵青朵<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 516600 广东省汕*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 掺杂 金刚石 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属钛掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
将掺钛石墨靶材在混合气体环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到金属钛掺杂类金刚石薄膜；
所述混合气体为氢气和氩气；
所述磁控溅射的功率为4～9KW；
所述掺钛石墨靶材按照以下方法制备：
将金属钛粉与石墨粉混匀，高温烧结，得到掺钛石墨靶材；
所述金属钛粉与所述石墨粉的质量比为1～20：80～99。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温烧结的温度为1100～1500℃；所述高温烧结的时间为1.0～2.0h。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合气体的气压为1～8mtorr。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合气体中，氢气和氩气的体积比为1～1.5：2～3。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的工作电压为400～700V。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将掺钛石墨靶材在混合气体环境中进行磁控溅射前，还包括将溅射室抽真空；所述真空的真空度为2×10-6～8×10-6mtorr。
7.一种权利要求1～6中任一项所述的制备方法制得的金属钛掺杂类金刚石薄膜。
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