[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一金属盘、顶部通孔、第二金属盘、焊盘、第一钝化层和第二钝化层，其中：

所述第一金属盘形成在次顶部金属层中位于焊盘下方的区域；

所述顶部通孔形成在所述第一金属盘和第二金属盘之间，并且填充有导电材料，以电连接所述第一金属盘和第二金属盘；

所述第二金属盘位于所述顶部通孔之上，且形成在顶部金属层中位于焊盘下方的区域；所述第一钝化层覆盖所述顶部金属层，并且具有暴露所述焊盘的第一开口；

所述第二钝化层形成在所述第一钝化层之上，并且具有暴露所述焊盘的第二开口，

其中，所述顶部通孔包括第一顶部通孔和第二顶部通孔，所述第一顶部通孔位于所述第二开口的下方，所述第二顶部通孔位于所述第二开口外侧对应的位置处，并且所述第一顶部通孔的尺寸大于所述第二顶部通孔的尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一顶部通孔的尺寸比所述第二顶部通孔的尺寸大0～40％。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘包括位于所述第一开口中的主体部和位于所述第一钝化层表面的延伸部。

4.根据权利要求1-3中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属盘和第二金属盘的面积大于所述焊盘的面积。

5.根据权利要求1-3中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属盘与所述第二金属盘之间通过介质层隔离，所述顶部通孔穿过所述介质层。

6.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一金属盘，所述第一金属盘形成在次顶部金属层中位于拟形成的焊盘下方的区域；

形成顶部通孔，所述顶部通孔位于所述第一金属盘之上，并且填充有导电材料；

形成第二金属盘，所述第二金属盘位于所述顶部通孔之上，且形成在顶部金属层中位于拟形成的焊盘下方的区域，并通过所述顶部通孔与所述第一金属盘电连接；

形成覆盖所述顶部金属层的第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露所述第二金属盘的一部分的第一开口；

在所述第一开口中的所述第二金属盘之上形成焊盘；

在所述第一钝化层之上形成第二钝化层，所述第二钝化层具有暴露所述焊盘的第二开口，

其中，所述顶部通孔包括第一顶部通孔和第二顶部通孔，所述第一顶部通孔位于所述第二开口的下方，所述第二顶部通孔位于所述第二开口外侧对应的位置处，并且所述第一顶部通孔的尺寸大于所述第二顶部通孔的尺寸。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一顶部通孔的尺寸比所述第二顶部通孔的尺寸大0～40％。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述焊盘包括位于所述第一开口中的主体部和位于所述第一钝化层表面的延伸部。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属盘与所述第二金属盘之间通过介质层隔离，所述顶部通孔穿过所述介质层。

10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中的任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。