[发明专利]量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件

说明书

本发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将量子点与载体混合于溶剂中，得到混合液；通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜；在混合薄膜完全干燥前，进行抽真空处理；在抽真空过程中进行HHIC处理，使得量子点与载体之间发生交联，得到量子点与载体交联的混合薄膜；其中，所述载体为聚合物和小分子中的一种或两种。本发明在溶液成膜过程中，进行抽真空处理（为常规的慢速抽真空）。在抽真空过程中，薄膜完全干燥前，进行HHIC交联处理，固定溶质的相对位置。增加相分离所需要的能量，可以制备均匀的薄膜，减小抽速的要求，有效避免了传统加热交联方法使混合薄膜出现分布不均的问题。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件。

背景技术

胶体（Colloid）量子点是基于液相分布的纳米材料体系。胶体量子点通过不同的制备工艺（旋涂、打印、转印或涂布等），制备量子点多层或单层薄膜。由于胶体量子点体系中，量子点分散在溶剂中，成膜后溶剂挥发，形成只有量子点堆积的固体薄膜。量子点之间以微弱的范德华力链接，在外界作用下（机械力，溶剂等），薄膜形态不能保持，因此胶体量子点的应用受到很大限制。例如，在量子点发光二极管（QLED）的制备过程中，由于量子点无法交联，可能被量子点层上的制备过程用的溶剂冲走，因此限制了QLED的制备工艺和材料选择，从而制约了QLED的性质和应用。

目前量子点交联的解决方案主要运用加热交联方法，此方法的问题是加热可能破坏交联物质的性质，特别是一些官能团在高温下发生化学反应。另外，加热处理和静置可能使混合薄膜出现分布不均的情况，其原因在于不同溶质的表面能不一样，在溶剂挥发或溶剂静置时，不同表面能的溶质趋于聚集。如果在沉积完溶液后，很快挥发溶剂，可以减少溶质聚集的时间，从而防止分相的发生。真空干燥方法可以使溶剂快速的挥发，但是对真空抽速有很高要求，对于沸点小于150℃的溶剂，需要在10min将气压从大气压降到0.1pa；对于高沸点溶剂（沸点200℃），要求更苛刻，需要在5min将气压从大气压降到0.1pa。如果只用真空抽气去满足不分相的要求，短时间需要达到极限真空10^-1Pa，对设备要求高。而且成膜后不能交联，成膜后如果进行其他处理，如加热处理，会进一步分相。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件，旨在解决现有加热交联方法使薄膜中量子点与载体的空间物理分布不均匀的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法，其中，包括：

步骤A、将量子点与载体混合于溶剂中，得到混合液；

步骤B、通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜；

步骤C、在混合薄膜完全干燥前，进行抽真空处理；在抽真空过程中进行HHIC处理，得到量子点与载体交联的混合薄膜。

所述的量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法，其中，所述载体为聚合物和小分子中的一种或两种。

所述的量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法，其中，所述聚合物为第一p型半导体材料、第一n型半导体材料、第一绝缘体材料、第一发光材料中的一种或多种；所述小分子为第二p型半导体材料、第二n型半导体材料、第二绝缘体材料、第二发光材料中的一种或多种。

所述的量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法，其中，所述第一p型半导体材料为PVK、TFB、poly-TPD、P3HT中的一种或多种，所述第一n型半导体材料为OXD-7，所述第一绝缘体材料为PMMA、PVP、PEN、PET中的一种或多种，所述第一发光材料为MEH-PPV。