[发明专利]量子点与聚合物交联的混合薄膜及制备方法与QLED有效

专利信息
申请号: 201710464478.3 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN109148699B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 向超宇;钱磊;曹蔚然;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54;C08G63/06;C08J5/18;C08L67/04
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 量子 聚合物 交联 混合 薄膜 制备 方法 qled
【说明书】:

发明公开量子点与聚合物交联的混合薄膜及制备方法与QLED,方法包括步骤:将量子点与带有至少两个官能团的单体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与带有至少两个官能团的单体的混合薄膜;通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理,使得带有至少两个官能团的单体之间发生交联形成聚合物,形成的聚合物与量子点之间发生交联从而得到量子点与聚合物交联的混合薄膜。本发明利用HHIC方法,避免了杂质的产生,从而提高量子点与聚合物交联的混合薄膜的纯度。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种量子点与聚合物交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件。

背景技术

胶体(Colloid)量子点是基于液相分布的了纳米材料体系。胶体量子点通过不同的制备工艺(旋涂、打印、转印或涂布等),制备量子点多层或单层薄膜。由于胶体量子点体系中,量子点分散在溶剂中,成膜后溶剂挥发,形成只有量子点堆积的固体薄膜。量子点之间以微弱的范德华力链接,在外界作用下(机械力,溶剂等),薄膜形态不能保持,因此胶体量子点的应用受到很大限制。例如,在量子点发光二极管(QLED)的制备过程中,由于量子点无法交联,可能被量子点层上的制备过程用的溶剂冲走,因此限制了QLED的制备工艺和材料选择,从而制约了QLED的性质和应用。

目前量子点交联的解决方案主要运用化学方法,即在量子点制备过程中添加化学交联基团,成膜后通过热处理或者光处理,使交联基团反应,从而交联量子点。此方法的问题是交联过程中产生副产物,这些副产物作为杂质很难从量子点层中去除。

因此,现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点与聚合物交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件,旨在解决现有化学交联过程中产生大量杂质的问题。

本发明的技术方案如下:

一种量子点与聚合物交联的混合薄膜的制备方法,其中,包括:

步骤A、将量子点与带有至少两个官能团的单体混合于溶剂中,得到混合液;

步骤B、通过溶液法将混合液制成含量子点与带有至少两个官能团的单体的混合薄膜;

步骤C、通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理,使得带有至少两个官能团的单体之间发生交联形成聚合物,形成的聚合物与量子点之间发生交联从而得到量子点与聚合物交联的混合薄膜。

所述的量子点与聚合物交联的混合薄膜的制备方法,其中,所述步骤A中,所述带有至少两个官能团的单体为CH2OH-(CH2)n-COOH、H2N-(CH2)n-COOH、HS-(CH2)n-COOH中的一种或多种;其中,n为正整数。

所述的量子点与聚合物交联的混合薄膜的制备方法,其中,所述步骤A中,所述溶剂为甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、正辛烷、异辛烷、环己烷、正己烷、正戊烷、异戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚中的一种或多种。

所述的量子点与聚合物交联的混合薄膜的制备方法,其中,所述步骤A中,所述量子点为红光量子点、绿光量子点、蓝光量子点和黄光量子点以及红外光量子点和紫外光量子点中的一种或多种。

所述的量子点与聚合物交联的混合薄膜的制备方法,其中,所述步骤C具体包括:将混合薄膜置于HHIC反应器中,通入H2,并使H2转变成H等离子,通过H等离子对混合薄膜进行交联处理,使得带有至少两个官能团的单体之间发生交联形成聚合物,形成的聚合物与量子点之间发生交联从而得到量子点与聚合物交联的混合薄膜。

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